[实用新型]一种基于立体封装技术的DDR3存储器有效

专利信息
申请号: 201821831045.3 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN209150044U 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 颜军;占连样;王烈洋;唐芳福 申请(专利权)人: 珠海欧比特宇航科技股份有限公司
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;H01L25/07
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 俞梁清
地址: 519080 广东省珠*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 脚底板 电路印刷基板 封装 连接线 本实用新型 多层电路 关联连接 印刷基板 镀金 印刷电路板 并联连接 接入信号 平面空间 物理连接 信号连接 引脚组 上端 堆叠 多片 灌封 位宽 引脚 切割 占用 输出 保证
【权利要求书】:

1.一种基于立体封装技术的DDR3存储器,其特征在于:包括引脚底板(1),所述引脚底板(1)的上方从下往上依次堆叠有多层电路印刷基板(2),每一个所述电路印刷基板(2)的上端还设置有一片DDR3芯片(3),所述电路印刷基板(2)上设置有用于与引脚底板(1)连接的第一引线桥(21)以及与DDR3芯片(3)引脚对应的信号连接脚组(22),所述信号连接脚组(22)通过走线与对应的第一引线桥(21)关联连接,所述引脚底板(1)的上端还设置有第二引线桥(11)以及设置于引脚底板(1)下端用于对外连接的引脚组(12),所述引脚底板(1)的引脚组(12)通过走线与第二引线桥(11)关联连接;多个所述电路印刷基板(2)与所述引脚底板(1)经灌封、切割后在周边上露出第一引线桥(21)以及第二引线桥(11),并在外表面设有镀金连接线(4);镀金连接线(4)将多个所述电路印刷基板(2)上的第一引线桥(21)进行关联连接并同时与第二引线桥(11)关联连接以形成:多片所述DDR3芯片(3)并联连接,所述引脚底板(1)的引脚组(12)作为立体封装DDR3存储器对外接入信号与对外输出的物理连接物。

2.根据权利要求1所述的基于立体封装技术的DDR3存储器,其特征在于:所述DDR3芯片(3)均采用存储容量为8Gb、数据总线宽度为16位、96个引脚的DDR3芯片(3)。

3.根据权利要求1所述的基于立体封装技术的DDR3存储器,其特征在于:所述引脚组(12)采用与DDR3芯片(3)的引脚相匹配的96个BGA焊球。

4.根据权利要求1所述的基于立体封装技术的DDR3存储器,其特征在于:所述第一引线桥(21)组分布于电路印刷基板(2)的周边,所述第二引线桥(11)组分布于引脚底板(1)的周边。

5.根据权利要求1所述的基于立体封装技术的DDR3存储器,其特征在于:多个所述DDR3芯片(3)的写信号线、CK时钟、BA块选择信号、RAS行地址锁存、CAS列地址锁存分别对应复合,多个所述DDR3芯片(3)的数据总线并置。

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