[实用新型]对位部件及反应腔室有效
申请号: | 201821834485.4 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN208923044U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 何中凯;傅新宇;荣延栋;魏景峰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/44 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对位部件 工艺位置 反应腔室 环形本体 引流结构 本实用新型 边缘区域 吹扫气体 凸部 边缘排除区域 基片上表面 相邻设置 承载面 均匀性 内周壁 凸部位 相分离 吹扫 校正 自传 承载 阻挡 | ||
1.一种对位部件,用于在基座位于工艺位置时使基片与所述基座的承载面对中,其特征在于,所述对位部件包括环形本体和引流结构,在所述环形本体的内周壁上设置有凸部,所述凸部在所述基座自传片位置上升至所述工艺位置的过程中,通过与所述基片的边缘相接触,来校正所述基片在所述基座上的位置,并且,在所述基座到达所述工艺位置时,所述凸部位于所述基座的承载面下方,以能够与所述基片相分离;
所述引流结构与所述环形本体相邻设置,所述引流结构用于在所述基座位于所述工艺位置时,将吹扫气体引向所述基片上表面的边缘区域。
2.根据权利要求1所述的对位部件,其特征在于,所述凸部包括对位斜面,所述对位斜面朝向所述环形本体的轴线设置,且与所述环形本体的轴线之间的间距由下而上逐渐减小;在所述基座自所述传片位置上升至所述工艺位置的过程中,所述对位斜面通过与所述基片的边缘相接触,来校正所述基片在所述基座上的位置。
3.根据权利要求2所述的对位部件,其特征在于,所述对位斜面与所述承载面之间的夹角大于80°,且小于90°。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的对位部件,其特征在于,所述凸部为闭合的环体;或者,所述凸部为多个,多个所述凸部沿所述环形本体的周向间隔设置。
5.根据权利要求4所述的对位部件,其特征在于,当所述凸部为多个时,每个所述凸部沿所述环形本体的周向的长度的取值范围为1mm-5mm。
6.根据权利要求1所述的对位部件,其特征在于,所述引流结构包括第一引流环体和第二引流环体,其中,所述第一引流环体与所述环形本体相邻设置,且在所述基座位于所述工艺位置时,所述第一引流环体环绕在所述基片周围;并且在所述第一引流环体与所述基片之间具有第一间隙;
所述第二引流环体与所述第一引流环体相邻设置,且在所述基座位于所述工艺位置时,所述第二引流环体遮挡在所述基片上表面的边缘区域上方。
7.根据权利要求6所述的对位部件,其特征在于,在所述第一引流环体的内周壁上设置有环形凹槽,所述环形凹槽在所述基座位于所述工艺位置时,环绕在所述基片周围。
8.根据权利要求6所述的对位部件,其特征在于,所述第一间隙大于1.5mm。
9.根据权利要求1所述的对位部件,其特征在于,所述引流结构还包括辅助环体,所述基座包括第一基座和设置在所述第一基座下方的第二基座,所述第一基座的外径小于所述第二基座的外径,所述第一基座用于承载所述基片,所述第二基座用于承载所述辅助环体,且所述辅助环体环绕在所述第一基座的周围,并与所述第一基座之间具有第二间隙,所述辅助环体用于在所述基座位于所述工艺位置时,承载所述环形本体。
10.一种反应腔室,其特征在于,包括基座和如权利要求1-9任意一项的所述对位部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造