[实用新型]对位部件及反应腔室

说明书

本实用新型提供一种对位部件及反应腔室，用于在基座位于工艺位置时使基片与基座的承载面对中，对位部件包括环形本体和引流结构，在环形本体的内周壁上设置有凸部，凸部在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中，通过与基片的边缘相接触，来校正基片在基座上的位置，并且，在基座到达工艺位置时，凸部位于基座的承载面下方，以能够与基片相分离；引流结构与环形本体相邻设置，引流结构用于在基座位于工艺位置时，将吹扫气体引向基片上表面的边缘区域。本实用新型提供的对位部件及反应腔室，能够避免对位部件与基片相接触，阻挡吹扫气体对基片的边缘区域进行吹扫，从而提高基片的边缘排除区域尺寸的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域，具体地，涉及一种对位部件及反应腔室。

背景技术

目前，在化学气相沉积(CVD)工艺中，需要避免晶片边缘沉积薄膜，即需要在晶片的边缘留有边缘排除(Edge exclusion)区域，以保证后续工艺的正常进行，因此，通常需要对晶片的边缘进行边吹扫(Edge purge)，将工艺气体从晶片的边缘排除区域吹走。但是，若晶片的中心偏离基座的中心放置，会导致晶片阻挡吹扫气体，以及边缘排除区域的尺寸不均匀，因此，就需要对晶片进行对位设置。

如图1和图2所示，在现有技术中，对位部件环绕在基座12的周围，且与基座12中心对称，对位部件包括对位件13和遮挡件14，对位件13与基座12之间还具有供吹扫气体通过的间隙17，对位件13上设置有朝向基座12中心凸出的对位部15，对位部15上还设置有斜面16，当向腔室内传递晶片11时，基座12下降至低位，使对位件13与遮挡件14分开，晶片11可从对位件13与遮挡件14之间传入，若晶片11的中心偏离基座12的中心，则晶片11会落在斜面16上，并沿斜面16滑落到基座12上，从而使晶片11与基座12中心对称，之后基座12上升，使对位件13与遮挡件14接触，此时，遮挡件14会遮挡在晶片11边缘的上方，从而使吹扫气体沿间隙17以及遮挡件14流动对晶片11的边缘进行吹扫。

但是，在现有技术中，为了使晶片11能够沿斜面16滑落到基座12上，对位部15要高于基座12，这就使得晶片11位于基座12上后，晶片11的边缘会与对位部15的边缘相接触，从而阻挡吹扫气体的流动，使吹扫气体无法对晶片11与对位部15接触处的晶片11的边缘进行吹扫，导致工艺后边缘排除区域的尺寸不均匀。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种对位部件及反应腔室，其能够避免对位部件与基片相接触，阻挡吹扫气体对基片的边缘区域进行吹扫，从而提高基片的边缘排除区域尺寸的均匀性。

为实现本实用新型的目的而提供一种对位部件，用于在基座位于工艺位置时使基片与所述基座的承载面对中，所述对位部件包括环形本体和引流结构，在所述环形本体的内周壁上设置有凸部，所述凸部在所述基座自传片位置上升至所述工艺位置的过程中，通过与所述基片的边缘相接触，来校正所述基片在所述基座上的位置，并且，在所述基座到达所述工艺位置时，所述凸部位于所述基座的承载面下方，以能够与所述基片相分离；

所述引流结构与所述环形本体相邻设置，所述引流结构用于在所述基座位于所述工艺位置时，将吹扫气体引向所述基片上表面的边缘区域。

优选的，所述凸部包括对位斜面，所述对位斜面朝向所述环形本体的轴线设置，且与所述环形本体的轴线之间的间距由下而上逐渐减小；在所述基座自所述传片位置上升至所述工艺位置的过程中，所述对位斜面通过与所述基片的边缘相接触，来校正所述基片在所述基座上的位置。

优选的，所述对位斜面与所述承载面之间的夹角大于80°，且小于90°。

优选的，所述凸部为闭合的环体；或者，所述凸部为多个，多个所述凸部沿所述环形本体的周向间隔设置。

优选的，当所述凸部为多个时，每个所述凸部沿所述环形本体的周向的长度的取值范围为1mm-5mm。