[实用新型]一种吸气剂薄膜的加工衬底

说明书

本实用新型提供了一种吸气剂薄膜的加工衬底，包括：衬底基板；所述衬底基板设有多组镂空槽，每组镂空槽围成的区域内设有多个吸气剂端子；覆盖在所述衬底基板上的硬掩膜版；所述硬掩膜版设有多个开孔，使上述每组镂空槽围成的区域不被硬掩膜版覆盖。与现有技术相比，本实用新型提供的加工衬底具有特定结构及连接关系，能够用于薄膜衬底的加工工艺，实现避开了光刻和蚀刻工艺以及剥离工艺、划片工艺，减少设备投入，利于环保，加工周期短，从而进一步实现吸气剂薄膜加工的简单高效化及低成本量产，并提升吸气剂薄膜的吸气性能。

技术领域

本实用新型涉及真空电子器件和真空仪器技术领域，更具体地说，是涉及一种吸气剂薄膜的加工衬底。

背景技术

随着电子、军工国防、原子能、轻工、石油等许多领域的发展和需要，真空电子器件和真空仪器的应用越来越广泛，很多真空电子器件和真空仪器需要在高真空的环境下进行工作。为了维持高真空，如10^-4Pa及以上，需要使用吸气剂(Getter)进行电激活或热激活后，维持其高真空。

吸气剂一般分为蒸散型吸气剂、非蒸散型吸气剂，及复合吸气剂。对于非蒸散型的吸气剂，一般是锆为主体(占60％以上)，然后掺杂钛、钽、钍、钴、钒、铝，铁的一种或几种金属，使用混合金属粉末烧结而成，或通过蒸发、溅射、离子束沉积镀上多孔状和稀疏的吸气剂薄膜材料。但对于微型的电子器件或微型的真空器件来讲，需要的吸气剂越来越变得更加的小型化，质量要求比烧结的要求更高。目前，借助半导体的微电子加工技术，使用光刻蚀刻方法进行吸气剂器件的图形化，衬底可为不锈钢、硅片、陶瓷等，如现有的吸气剂衬底如片式吸气剂衬底，通过半导体的光刻蚀刻技术，来加工不锈钢、硅晶圆或陶瓷衬底，蚀刻出所需要的图形；然后使用特殊的工装夹具，放入蒸发或溅射机台中在衬底上进行吸气剂薄膜的沉积，再通过剥离工艺(Lift-off)的方法，进行去胶，最后采用划片工艺切割成吸气剂器件进行封装使用。

虽然上述方法能制造几乎所有需要的小型化吸气剂，但是，该方法几乎所有工序都使用了半导体的工艺技术，工艺复杂、难度大，加工周期长，并且光刻、蚀刻工序需要使用光刻机台，成本高昂，同时使用到了光刻工序中的光刻胶、显影液，和干法、湿法工艺中的特殊蚀刻气体或化学溶液，会导致环境问题或需要进行环保处理排放；另外，针对吸气剂薄膜的不同要求，还需要对沉积薄膜机台的传输系统或腔体结构进行改造，设计特殊的工夹具，才能进行吸气剂薄膜的沉积。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种吸气剂薄膜的加工衬底，采用该加工衬底能够实现避开了光刻和蚀刻工艺以及剥离工艺、划片工艺，进一步实现吸气剂薄膜加工的简单高效化、低成本量产，并提升吸气剂薄膜的吸气性能。

本实用新型提供了一种吸气剂薄膜的加工衬底，包括：

衬底基板；所述衬底基板设有多组镂空槽，每组镂空槽围成的区域内设有多个吸气剂端子；

覆盖在所述衬底基板上的硬掩膜版；所述硬掩膜版设有多个开孔，使上述每组镂空槽围成的区域不被硬掩膜版覆盖。

优选的，所述衬底基板为不锈钢板、玻璃片或陶瓷片。

优选的，所述衬底基板的厚度为0.03mm～0.06mm。

优选的，所述衬底基板的表面设有多个不穿透衬底基板的细孔。

优选的，所述吸气剂端子的尺寸为0.5mm～5mm，形状为圆形、矩形或环形。

优选的，所述硬掩膜为不锈钢板。

优选的，所述硬掩膜版的厚度为0.02mm～0.5mm。

优选的，其特征在于，还包括：

放置所述衬底基板的托盘；

设置在所述硬掩膜版上的纽扣磁铁，用于固定依次叠放的托盘、衬底基板和硬掩膜版。