[实用新型]半导体结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821869247.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN209119067U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 多晶硅填充 多晶硅 基底 半导体器件 图形层 侧壁 狭缝 加热处理 填充 溢出 暴露 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
图形层，设于所述基底上，所述图形层具有凹槽，且所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；
多晶硅填充层，位于所述凹槽内，用于填充所述凹槽，且所述多晶硅填充层与所述凹槽的侧壁之间具有间隙。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述间隙的宽度与所述凹槽的宽度的比值大于等于1/50且小于等于1/5。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
绝缘层，位于所述图形层上，所述绝缘层还部分填充于所述间隙中，所述绝缘层材料包括氧化硅或氮化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底材料为硅、锗硅、绝缘体上硅中至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述图形层材料包含氧化硅或氮化硅。
6.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的半导体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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