[实用新型]半导体结构及半导体器件

说明书

本公开是关于一种半导体结构半导体结构及半导体器件。该半导体结构包括：基底；图形层，设于所述基底上，所述图形层具有凹槽，且所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；多晶硅填充层，位于所述凹槽内，用于填充所述凹槽，且所述多晶硅填充层与所述凹槽的侧壁之间具有间隙。本公开提供的半导体结构，多晶硅与凹槽的侧壁之间存在间隙，通过对多晶硅填充层的加热处理，能够使多晶硅填充层中的狭缝在多晶硅的表面溢出，从而实现减少多晶硅中狭缝的目的。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体结构及半导体器件。

背景技术

随着半导体制造和加工工业已经发展至先进的技术节点，可以发现，集成度不断提高、器件部件减少、以及对器件性能的更高要求不断增强。半导体器件的特征尺寸变得越来越小，半导体芯片的集成度越来越高，在单位面积上需要形成的器件数量和类型也越来越多，从而对半导体工艺的要求也越来越高。

在半导体器件制造中，多晶硅是一种很常用的半导体材料，通常可以形成诸如位线接触栓塞或存储节点接触栓塞，作为埋栅电极或掩埋电容器的电极。

然而，目前在半导体器件的制造过程中，在半导体基底上的图形层的凹槽中填充多晶硅时，由于凹槽具有较大的深宽比，因此，多晶硅在填充时内部容易产生狭缝。当多晶硅中存在狭缝时，狭缝可能增加体电阻，从而导致电阻性失效。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种半导体结构的新的技术方案。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：

基底；

图形层，设于所述基底上，所述图形成具有凹槽，且所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；

多晶硅填充层，位于所述凹槽内，用于填充所述凹槽，且所述多晶硅填充层与所述凹槽的侧壁之间具有间隙。

在本公开的一种示例性实施例中，所述间隙的宽度与所述凹槽的宽度的比值大于等于1/50且小于等于1/5。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：

绝缘层，位于所述图形层上，所述绝缘层还部分填充于所述间隙中，所述绝缘层材料包括氧化硅或氮化硅。

在本公开的一种示例性实施例中，所述基底材料为硅、锗硅、绝缘体上硅中至少一种。

在本公开的一种示例性实施例中，所述图形层材料包含氧化硅或氮化硅。

根据本公开的另一个方面，还提供了一种半导体器件。该半导体器件包括上述的半导体结构。

本公开提供的半导体结构，多晶硅与凹槽的侧壁之间存在间隙，通过对多晶硅填充层的加热处理，能够使多晶硅填充层中的狭缝在多晶硅的表面溢出，从而实现减少多晶硅中狭缝的目的，避免了多晶硅内部具有狭缝时增加体电阻，从而导致电阻性失效的情况出现，提高了多晶硅的性能。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开的一种实施例提供的半导体结构的示意图；

图2为本公开的另一种实施例提供的半导体结构的示意图；