[实用新型]一种氮化镓器件有效
| 申请号： | 201821877443.9 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN208873713U | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李孟;李幸辉;罗广豪 | 申请（专利权）人： | 镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 齐胜杰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区桂城街道宝石*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓 裸芯片 氮化镓器件 基岛 引脚 本实用新型 贴片 封装 电流通过 顶部安装 封装材料 功率器件 能力问题 散热效果 引线框架 功率管 散热片 电极 散热 外露 热阻 背面 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓器件，包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚，其特征在于，还包括：用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；
所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，
所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；
所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。
2.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，
外露在所述氮化镓器件顶部的基岛与所述氮化镓器件顶部齐平。
3.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，
外露在所述氮化镓器件顶部的基岛具有与其它散热装置连接的缺口结构，所述其它散热装置为与氮化镓器件独立的散热装置。
4.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触，包括：
所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛采用焊接方式连接；
或者，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛采用胶水粘接方式连接。
5.根据权利要求1至3任一所述的氮化镓器件，其特征在于，
将所述氮化镓裸芯片、引脚和所述基岛封装成SMD形式的氮化镓器件。
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