[实用新型]一种氮化镓器件

说明书

本实用新型提供一种氮化镓器件，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本实用新型能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。

技术领域

本实用新型涉及氮化镓裸芯片的封装技术，特别是一种氮化镓器件。

背景技术

业内将从晶圆上切割下来，在封装前的单个单元的裸芯片叫做die。功率开关管均是封装后的芯片/器件。功率开关管在工作过程中会产生热量，积累的热量可能会让开关管的性能变差，甚至损坏开关管，因此需要在功率开关管的die封装成器件的过程中，想办法将芯片的热量散发到外部的环境中。

现有技术中常用的SMD封装器件，其结构一般为两种，一是没有外露散热金属片的全包封结构，这类型封装的器件，主要通过封装材料将内部die的热量传导或辐射到空气中这个途径来散热。因器件的封装材料一般热阻较大，此类型的封装散热能力有限，一般只适用于工作时只需要通过小电流的器件使用。

另一种是在器件底部配置有散热片，如图1和图2所示，在封装结构内部，将散热片和内部的die通过粘贴、焊接等低热阻的连接方式连在一起，如此die在工作中产生的热量，可通过低热阻的途径传输到散热片上，同时器件装配到PCB上时，还可通过PCB上的铜箔、过孔等方式加强散热。此类型的封装，因其内部集成的散热片面积有限，PCB的导热能力也有限，在大电流的应用场合，散热能力也不足。SOP-8封装底部带散热片的形式如图1所示，DFN封装底部带散热片的形式如图2所示。

实用新型内容

针对现有技术中的问题，本实用新型提供一种导热性能好且散热能力强的氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法。

第一方面，本实用新型提供一种氮化镓器件，包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚，用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；

所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，

所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；

所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。

可选地，外露在所述氮化镓器件顶部的基岛与所述氮化镓器件顶部齐平。

可选地，外露在所述氮化镓器件顶部的基岛具有与其它散热装置连接的缺口结构，所述其它散热装置为与氮化镓器件独立的散热装置。

可选地，所述基岛的长宽大于所述氮化镓裸芯片的长宽。

可选地，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触，包括：

所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛采用焊接方式连接；

或者，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛采用胶水粘接方式连接。

可选地，将所述氮化镓裸芯片、引脚和所述基岛封装成SMD形式的氮化镓器件。

本实用新型具有的有益效果：

1)本实用新型将氮化镓的die正装在基岛上，电极采用打线的方式跟引脚相连，对于氮化镓die封装成SMD器件来说，加工方式简单，从die到基岛的热阻也最小，利于将die的热量传导到基岛上。由此，解决了现有氮化镓芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题。