[实用新型]一种高导通效率的碳化硅二极管

权利要求书

1.一种高导通效率的碳化硅二极管，包括一号电极(1)，其特征在于：所述一号电极(1)的下端设置有金属上层(3)，所述金属上层(3)的下端设置有N型外延层(4)，所述N型外延层(4)的内部填充有P型单晶碳化硅(5)，所述P型单晶碳化硅(5)的下端设置有深体区(6)，所述N型外延层(4)的下端设置有N型衬底(7)，所述N型衬底(7)的下端设置有金属下层(8)，所述金属下层(8)的下端设置有二号电极(2)。

2.根据权利要求1所述的一种高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：所述深体区(6)为P型深体区，所述深体区(6)可为一号多晶硅层(9)或二号多晶硅层(10)，所述一号多晶硅层(9)和二号多晶硅层(10)均设置在P型单晶碳化硅(5)的外表面。

3.根据权利要求1所述的一种高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：所述深体区(6)分别设置在P型单晶碳化硅(5)的两侧，且深体区(6)的数量为六组。

4.根据权利要求1所述的一种高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：所述N型外延层(4)的内部开设有凹槽，所述P型单晶碳化硅(5)安装在凹槽的内部。

5.根据权利要求2所述的一种高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：所述一号多晶硅层(9)为一种高浓度掺杂多晶硅层。

6.根据权利要求2所述的一种高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：所述二号多晶硅层(10)为一种P型掺杂多晶硅层。