[实用新型]一种高导通效率的碳化硅二极管

说明书

本实用新型提供一种高导通效率的碳化硅二极管，涉及碳化硅二极管领域。实现了能够提高碳化硅二极管的开关效率，降低了能耗的缺陷的效果。该高导通效率的碳化硅二极管，包括一号电极，一号电极的下端设置有金属上层，金属上层的下端设置有N型外延层，N型外延层的内部填充有P型单晶碳化硅，P型单晶碳化硅的下端设置有深体区，N型外延层的下端设置有N型衬底，N型衬底的下端设置有金属下层，金属下层的下端设置有二号电极，深体区为P型深体区。该高导通效率的碳化硅二极管，提高了该碳化硅二极管的导通效率，具有高导通效率的优点，降低了碳化硅二极管的开关效率，降低了能耗。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅二极管技术领域，特别的为一种高导通效率的碳化硅二极管。

背景技术

电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能，而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。碳化硅材料制成的二极管相比常规的硅材质的二极管而言，具有耐高温、耐高压以及电场强度高的优点，因为应用的越来越广泛。

而现有的碳化硅二极管由于禁带较宽，具有较高的开启电压，肖特基大约1.5V，碳化硅PN结二极管约为3V，因此碳化硅二极管在使用时需要更大的正向电压才能实现高导通，而现有的碳化硅二极管开关效率低且耗能高。

实用新型内容

本实用新型提供的发明目的在于提供一种高导通效率的碳化硅二极管，该高导通效率的碳化硅二极管，能够提高碳化硅二极管的开关效率，降低了能耗的缺陷。

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种高导通效率的碳化硅二极管，包括一号电极，所述一号电极的下端设置有金属上层，所述金属上层的下端设置有N型外延层，所述N型外延层的内部填充有P型单晶碳化硅，所述P型单晶碳化硅的下端设置有深体区，所述N型外延层的下端设置有N型衬底，所述N型衬底的下端设置有金属下层，所述金属下层的下端设置有二号电极。

优选的，所述深体区为P型深体区，所述深体区可为一号多晶硅层或二号多晶硅层，所述一号多晶硅层和二号多晶硅层均设置在P型单晶碳化硅的外表面。

优选的，所述深体区分别设置在P型单晶碳化硅的两侧，且深体区的数量为六组。

优选的，所述N型外延层的内部开设有凹槽，所述P型单晶碳化硅安装在凹槽的内部。

优选的，所述一号多晶硅层为一种高浓度掺杂多晶硅层。

优选的，所述二号多晶硅层为一种P型掺杂多晶硅层。

使用时，对该碳化硅二极管正向导通时，电阻可随电压升高而导通，即不存在死区电压，当加载正向电压时，该碳化硅二极管立即导通，从而提高了该碳化硅二极管的导通效率，具有高导通效率的优点，降低了碳化硅二极管的开关效率，降低了能耗，在P型单晶碳化硅所在位置注入一号多晶硅层，优化了一号电极与二号电极的连接性能，注入深体区，提升了碳化硅二极管的抗温度干扰性能，并提高了击穿电压，注入二号多晶硅层，提升了该碳化硅二极管的整体性能。

本实用新型提供了一种高导通效率的碳化硅二极管。具备以下有益效果：

1、该高导通效率的碳化硅二极管，对该碳化硅二极管正向导通时，电阻可随电压升高而导通，即不存在死区电压，当加载正向电压时，该碳化硅二极管立即导通，从而提高了该碳化硅二极管的导通效率，具有高导通效率的优点，降低了碳化硅二极管的开关效率，降低了能耗。

2、该高导通效率的碳化硅二极管，在P型单晶碳化硅所在位置注入一号多晶硅层，优化了一号电极与二号电极的连接性能，注入深体区，提升了碳化硅二极管的抗温度干扰性能，并提高了击穿电压，注入二号多晶硅层，提升了该碳化硅二极管的整体性能。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；