[实用新型]一种扩散用的喷淋管及扩散炉有效
申请号: | 201821882869.3 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN208861951U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 刘志强;严健;袁中存;费正洪 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/223;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 224431 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋管 喷淋孔 喷淋段 扩散炉 本实用新型 扩散 太阳能电池制备 气体流动方向 太阳能电池片 进气装置 均匀扩散 炉内气体 一端封闭 管体沿 进气端 均匀性 硅片 方阻 管体 连通 保证 | ||
本实用新型公开了一种扩散用的喷淋管及扩散炉,属于太阳能电池制备技术领域。该扩散用的喷淋管一端封闭,另一端为进气端,与进气装置连通,所述喷淋管包括管体,所述管体沿气体流动方向设有至少两个喷淋段,每个所述喷淋段设置有一个或至少两个喷淋孔总成,每个所述喷淋孔总成包括一个喷淋孔或位于同一截面的至少两个喷淋孔。该扩散炉包括上述喷淋管。本实用新型提供的喷淋管通过设置多组喷淋段、改变不同喷淋段上的喷淋孔数目的方式实现炉内气体的均匀扩散,保证了硅片方阻的均匀性,提高了太阳能电池片的质量。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域,尤其涉及一种扩散用的喷淋管及扩散炉。
背景技术
太阳能电池片的制备过程中,在扩散炉中对硅片进行高温磷源掺杂是提高其方块电阻的有效方法。硅片的高温掺杂通常是将喷淋管由炉尾处插入扩散炉,再向喷淋管中通入携带磷源的氮气,利用喷淋管上的喷淋孔进行磷源的扩散喷淋,硅片吸收磷源形成扩散层电阻。
常规的喷淋管结构简单,仅仅在喷淋管上均匀设置若干喷淋孔,由于气体在喷淋管内是由炉尾向炉口扩散的,气流向炉口流动的过程中流量逐渐减少,造成靠近炉口处的硅片吸收的磷源量减少,而靠近炉尾处的硅片吸收的磷源丰富,从而造成了炉管内不同区域硅片的方块电阻不同,降低了太阳能电池片的质量。
另外,喷淋管一般架设在炉内壁的挂钩上,由于扩散炉的炉内温度高,喷淋管的尺寸较小,工作人员只能根据个人经验在炉外进行摸索安装,效率低下,且很有可能造成喷淋管与炉壁发生硬性接触,损坏炉体和喷淋管,增加了生产成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种扩散用的喷淋管,能够使炉管内气体流量分布更加均匀,有效改善不同区域硅片方块电阻的均匀性,提高硅片的生产质量。
为实现上述目的,提供以下技术方案:
一种扩散用的喷淋管,所述喷淋管一端为封闭端,另一端为进气端并与进气装置连通,所述喷淋管包括管体,所述管体沿气体流动方向设有至少两个喷淋段,每个所述喷淋段设置有一个或至少两个喷淋孔总成,每个所述喷淋孔总成包括一个喷淋孔或位于同一截面的至少两个喷淋孔;
沿气体流动方向,相邻的两个所述喷淋段的所述喷淋孔总成之间的间距逐渐减小,和/或
相邻的两个所述喷淋段的所述喷淋孔总成的所述喷淋孔孔径逐渐增大,和/或
相邻的两个所述喷淋段的所述喷淋孔总成的所述喷淋孔数量逐渐增多,和/或
相邻的两个所述喷淋段的所述喷淋孔总成的数量逐渐增多。
作为优选,相邻的两个所述喷淋孔总成之间的间距为相邻两个所述喷淋孔总成的所述喷淋孔所在截面之间的距离。
作为优选,相邻的两个所述喷淋段的所述喷淋孔总成之间的间距沿着气体流动方向呈等差数列进行设置。
作为优选,相邻的两个所述喷淋段的所述喷淋孔总成的所述喷淋孔的孔径沿着气体流动方向采用等差数列设置。
作为优选,所述喷淋孔的中心轴线均沿着管体的径向设置。
作为优选,所述喷淋孔总成的相邻的两个所述喷淋孔的中心轴线之间的夹角为10-90°。
作为优选,同一所述喷淋段上,相邻的两个所述喷淋孔总成的所述喷淋孔一一对应设置。
作为优选,所述喷淋孔为锥形孔,所述喷淋孔的孔径沿着所述管体(1)的径向由内而外逐渐增大。
本实用新型的目的在于提供了一种扩散炉,包括上述任一喷淋管,该扩散炉可以提高操作人员安装喷淋管的效率,避免喷淋管与炉壁发生硬性接触,保护了炉体和喷淋管。
为实现上述目的,提供以下技术方案:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司,未经盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821882869.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造