[实用新型]一种正负电源供电半桥电路的驱动电路

权利要求书

1.一种正负电源供电半桥电路的驱动电路，其特征在于：包括死区时间设置电路（1）、第一电压自举电路（2）、第二电压自举电路（3）、第一瞬时共态抑制电路（4）、第二瞬时共态抑制电路（5）及半桥驱动电路（6）；

所述死区时间设置电路，用于设置与调节半桥驱动电路中两个MOS管同时截止的时间，避免半桥驱动电路中两个MOS管同时导通；

所述第一电压自举电路，用于对半桥驱动电路中PMOS管G极电位的抬高，实现对该管导通与截止的有效控制；

所述第二电压自举电路，用于对半桥驱动电路中NMOS管G极电位的抬高，实现对该管导通与截止的有效控制；

所述第一瞬时共态抑制电路，用于加速PMOS管由导通状态向关断状态的切换，减小切换时间以抑制PMOS管从导通到关断过程中与NMOS管间的瞬态共态导通；

所述第二瞬时共态抑制电路，用于加速NMOS管由导通状态向关断状态的切换，减小切换时间以抑制NMOS管从导通到关断过程中与PMOS管间的瞬态共态导通；

所述半桥驱动电路，用于对负载电机正、反向交替加电，实现对电机的运转速、运转方向的控制。

2.根据权利要求1所述的正负电源供电半桥电路的驱动电路，其特征在于：所述死区时间设置电路（1）包括第一限流电阻（R1）、第二限流电阻（R2）、第一三极管（V11）、第二三极管（V12）、第一稳压管（V13）及用于调节死区时间的第一电容（C1），所述第一限流电阻（R1）的一端与输入脉冲信号连接，第一限流电阻（R1）的另一端与第二限流电阻（R2）的一端连接，第二限流电阻（R2）的另一端与第一三极管（V11）及第二三极管（V12）的基极连接，第一限流电阻（R1）和第二限流电阻（R2）的公共端与第一电容（C1）的一端相连，第一电容（C1）的另一端与电源地相连，所述第一三极管（V11）的集电极与第一电压自举电路（2）及第一瞬时共态抑制电路（4）的低端连接，第一三极管（V11）的发射极与第二三极管（V12）的发射极连接，第二三极管（V12）的集电极与第二电压自举电路（3）及第二瞬时共态抑制电路（5）的高端相连，所述第一稳压管（V13）的一端与第一三极管（V11）的发射极连接，其另一端接地。

3.根据权利要求1所述的正负电源供电半桥电路的驱动电路，其特征在于：所述第一电压自举电路（2）包括第一储能电容（C2）、第三限流电阻（R5）、第二稳压管（V5）、第三稳压管（V9）及第一隔离二极管（V7）；所述第一储能电容（C2）的一端与死区时间设置电路（1）连接，其另一端与第一隔离二极管（V7）的阳极连接，所述第一隔离二极管（V7）的阳极与第二稳压管（V5）的阴极连接，第二稳压管（V5）的阳极经第三限流电阻（R5）与正电源VCC相连，所述第三稳压管（V9）的阴极与第一隔离二极管（V7）的阴极连接，第三稳压管（V9）的阳极与死区时间设置电路（1）连接。

4.根据权利要求1所述的正负电源供电半桥电路的驱动电路，其特征在于：所述第二电压自举电路（3）包括第二储能电容（C3）、第四限流电阻（R6）、第二隔离二极管（V8）、第四稳压管（V6）、第五稳压管（V10）；所述第二储能电容（C3）的一端与第二隔离二极管（V8）的阳极及死区时间设置电路（1）连接，第二储能电容（C3）的另一端与第四稳压管（V6）的阳极连接，第四稳压管（V6）的阴极经第四限流电阻（R6）与负电源VEE连接，所述第二隔离二极管（V8）的阴极与第五稳压管（V10）的阴极连接，第五稳压管（V10）的阳极与第四稳压管（V6）的阳极连接。

5.根据权利要求1所述的正负电源供电半桥电路的驱动电路，其特征在于：所述第一瞬时共态抑制电路（4）包括第五限流电阻（R3）、第五稳压管（V1）及第三三极管（V3）；所述第三三极管（V3）的基极与第五稳压管（V1）的阴极连接，其集电极与死区时间设置电路（1）连接，其发射极与正电源（VCC）连接，所述第五稳压管（V1）的阳极经第五限流电阻（R3）与输入脉冲信号（VIN）连接。