[实用新型]一种正负电源供电半桥电路的驱动电路有效
申请号: | 201821892035.0 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN208955894U | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 张志阳;朱伟龙;周向红;王毅;张小龙 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/38;H02P7/03;H02P7/29 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 王丽丽;金凯 |
地址: | 230088 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 互补MOS 电压自举 共态导通 抑制电路 共态 死区 时间设置电路 正负电源供电 电路 半桥电路 驱动电路 瞬态 半桥驱动电路 状态切换过程 本实用新型 晶体管开关 稳压二极管 反相控制 有效控制 自举电容 导通 关断 烧毁 | ||
本实用新型涉及一种正负电源供电半桥电路的驱动电路,包括死区时间设置电路、第一电压自举电路、第二电压自举电路、第一瞬时共态抑制电路、第二瞬时共态抑制电路及半桥驱动电路。所述死区时间设置电路可根据实际使用要求设置死区时间为:100ns~10μs,以避免互补MOS管因共态导通而烧毁;电压自举电路由自举电容和稳压二极管组成,实现对互补MOS管的有效控制;瞬时共态抑制电路通过晶体管开关与对应MOS管的反相控制,抑制互补MOS管“导通”与“关断”状态切换过程中的瞬态共态导通,消除互补MOS管因瞬态共态导通而损坏。
技术领域
本实用新型涉及直流电机驱动技术领域,具体涉及一种正负电源供电半桥电路的驱动电路。
背景技术
直流电机广泛用于工业及国防领域,在航天、航空、船舶、兵器、铁路、通信、医疗电子、工业自动化设备等军民用电子系统中得到广泛应用。传统的双向电机为有刷电机,依靠电刷来切换电机的转向,这种电刷控制方式,会对系统产生较大的电流脉冲干扰和电压脉冲干扰。现代直流电机采用半桥电路控制,直流电机的单向转动是通过单电源供电、正向脉冲PWM控制方式控制电机的转速,且可以实现无级调速。这种控制方式,市场上已用成熟的半桥驱动器单片电路,如IR2110等。直流电机的双向转动是通过正负电源供电、正负幅度脉冲信号PWM控制方式控制电机的转速或转向,当正脉冲宽度大于负脉冲宽度时电机则正向转动,当负脉冲宽度大于正脉冲宽度时电机则反向转动,当正脉冲宽度与负脉冲宽度相等时电机则停止转动。而正负电源供电的半桥电路,目前国内外尚无现成、可用的驱动电路。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种正负电源供电半桥电路的驱动电路,可根据实际需要可自行设置死区时间,消除半桥电路共态导通,确保半桥电路安全、可靠地工作。
为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:
一种正负电源供电半桥电路的驱动电路,包括死区时间设置电路、第一电压自举电路、第二电压自举电路、第一瞬时共态抑制电路、第二瞬时共态抑制电路及半桥驱动电路;
所述死区时间设置电路,用于设置与调节半桥驱动电路中两个MOS管同时截止的时间(即死区时间),避免半桥驱动电路中两个MOS管同时导通(即共态导通);所述第一电压自举电路,用于对半桥驱动电路中PMOS管G极电位的抬高,实现对V14管导通与截止的有效控制;所述第二电压自举电路,用于对半桥驱动电路中NMOS管(V15)G极电位的抬高,实现对V15管导通与截止的有效控制;所述第一瞬时共态抑制电路,用于加速PMOS管(V14)由导通状态向关断状态的切换,减小切换时间以抑制PMOS管(V14)从导通到关断过程中与NMOS管(V15)间的瞬态共态导通;所述第二瞬时共态抑制电路,用于加速NMOS管(V15)由导通状态向关断状态的切换,减小切换时间以抑制NMOS管(V15)从导通到关断过程中与PMOS管(V14)间的瞬态共态导通;所述半桥驱动电路,用于对负载电机正、反向交替加电,实现对电机的运转速、运转方向的控制。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述死区时间设置电路包括第一限流电阻(R1)、第二限流电阻(R2)、第一三极管(V11)、第二三极管(V12)、第一稳压管(V13)及用于调节死区时间的第一电容(C1),所述第一限流电阻(R1)的一端与输入脉冲信号连接,第一限流电阻(R1)的另一端与第二限流电阻(R2)的一端连接,第二限流电阻(R2)的另一端与第一三极管(V11)及第二三极管(V12)的基极连接,第一限流电阻(R1)和第二限流电阻(R2)的公共端与第一电容(C1)的一端相连,第一电容(C1)的另一端与电源地相连,所述第一三极管(V11)的集电极与第一电压自举电路及第一瞬时共态抑制电路的低端连接,第一三极管(V11)的发射极与第二三极管(V12)的发射极连接,第二三极管(V12)的集电极与第二电压自举电路及第二瞬时共态抑制电路的高端相连,所述第一稳压管(V13)的一端与第一三极管(V11)的发射极连接,其另一端接地。
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