[实用新型]一种硅基体直立式镀膜的配套装置

说明书

本实用新型公开一种硅基体直立式镀膜的配套装置，包括将硅基体竖直固定的框体和承载数个框体的无底槽体，所述框体包括四边支撑的相框架和固定件，相框架搁置于无底槽体底边上，相框架上边框设有配合硅基体贯穿的插缝，相框架下边框设有配合硅基体单侧插入的插槽，相框架的侧边框上设有凸点，固定件与凸点配合连接的相应位置设有凹口，固定件通过凹口与凸点的配合连接，将其固定于相框架。本实用新型用于竖直承载数个硅基体进行气相沉积以完成真空镀膜的制程，有效地防止了等离子分子对硅基体的轰击，提高硅基体镀膜质量。

技术领域

本实用新型涉及硅太阳能电池的制具领域，特别涉及一种硅基体直立式镀膜的配套装置。

背景技术

硅太阳能电池的HIT结构是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。但是现有的工艺太复杂，硅基体的镀膜质量不佳，真空镀膜装置及其配套设施价格昂贵，大大限制了它的大规模生产。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种硅基体直立式镀膜的配套装置，旨在克服以上问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种硅基体直立式镀膜的配套装置，包括将硅基体竖直固定的框体和承载数个框体的无底槽体，所述框体包括四边支撑的相框架和固定件，相框架搁置于无底槽体底边上，相框架上边框设有配合硅基体贯穿的插缝，相框架下边框设有配合硅基体单侧插入的插槽，相框架的侧边框上设有凸点，固定件与凸点配合连接的相应位置设有凹口，固定件通过凹口与凸点的配合连接，将其固定于相框架。

优选地，所述凸点的数目至少为二，所述凹口的数目至少为二，所述相框架的两侧边框分别设有凸点，固定件的两侧边分别设有与凸点配合连接的凹口，固定件通过凹口与凸点的配合连接固定于相框架上边框。

优选地，所述相框架还包括前掩框和后背框，所述前掩框固定嵌入相框架镂空部的其中一侧面，所述后背框固定嵌入相框架镂空部的的另一侧面。

优选地，所述前掩框的镂空外形与硅基体的待镀膜外形相匹配。

优选地，所述前掩框的镂空外形的内角为倒角设置。

优选地，还包括具有与硅基体非镀面外形相匹配的屏闭片，所述屏闭片可拆卸地镶嵌于后背框的镂空部。

优选地，所述框体还包括搁置条，所述搁置条设于相框架的底边框的底部。

优选地，所述无底槽体的底边设有数个间距均匀的突起，所述框体间隙配合限位于相邻突起之间。

优选地，所述无底槽体底边的下方设有防滑胶垫。

优选地，所述无底槽体还包括围着无底槽体底边竖立的槽边。

本实用新型用于竖直承载数个硅基体同时进行气相沉积以完成真空镀膜的制程，通过硅基体的竖直固定，以隔离等离子气体的电离分离区与硅基体镀膜区，通过硅基体的竖直固定，将等离子气体的电离分离区与硅基体镀膜区隔离，以防止等离子分子对硅基体的轰击，提高硅基体的镀膜质量。同时，本实用新型通过屏闭片插入式连接框体，让每个硅基体可以灵活地应对双面镀膜或单面镀膜的工艺要求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为所述配套装置一实施例的剖面示意图；

图2为所述框体的曝炸图；

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式