[实用新型]控制电压的器件、供电电路及电路系统

权利要求书

1.一器件，其特征在于，包括耗尽型MOSFET核，所述MOSFET核包括漏极D、栅极G、源极S；所述漏极D构成器件上用于与供电第一端连接的第一供电引脚a，栅极G构成器件上用于与供电第二端及负载第二端进行连接的第二供电引脚b，所述源极S构成器件上用于与负载连接的负载引脚c。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述耗尽型MOSFET核为N沟道耗尽型MOSFET核，所述供电第一端为高电位端，所述供电第二端为低电位端，所述负载引脚c电位高于所述第二供电引脚b的电位。

3.如权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述耗尽型MOSFET核工作于亚阈状态。

4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述负载的工作电压绝对值小于并接近所述耗尽型MOSFET的阈值电压绝对值。

5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，阈值电压绝对值×（1-20%）≤负载工作电压绝对值≤阈值电压绝对值。

6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，阈值电压绝对值×（1-5%）≤负载工作电压绝对值≤阈值电压绝对值。

7.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述的亚阈状态限定标准为：所述器件上的电压变化比>0.5%。

8.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述器件上的电压变化比≥1%。

9.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述器件上的电压变化比≥10%。

10.如权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述负载的工作电压绝对值最低工作电压≤阈值电压绝对值≤负载的限制电压绝对值，或，阈值电压绝对值=负载的限制电压绝对值。

11.供电电路，包括来自供电侧的供电第一端、供电第二端，其特征在于，进一步包括如权利要求1-10任一项所述的器件；所述器件的第一供电引脚a连接到供电第一端、第二供电引脚b连接到供电第二端并与负载第二端连接；负载引脚c用于直接连接负载第一端，并向所述负载提供相对于第二供电引脚b的正向电压。

12.供电电路，包括来自供电侧的高电位端、低电位端，其特征在于，进一步包括如权利要求2-10任一项所述的器件；所述器件的第一供电引脚a连接到高电位端、第二供电引脚b连接到低电位端并与负载第二端连接；对负载提供高电位的负载引脚c用于直接连接负载第一端，并向所述负载提供相对于第二供电引脚b的正向电压。

13.电路系统，包括供电区和与所述供电区连接的负载区，所述供电区包括至少一供电电路，所述负载区包括负载，其特征在于，所述供电电路为权利要求12所述的供电电路；所述负载通过所述供电电路获得稳定的工作电压和工作电流。

14.如权利要求13所述的系统，其特征在于，所述负载的等效电阻大于等于1KΩ。

15.如权利要求13所述的系统，其特征在于，所述负载的工作电流小于1mA。

16.如权利要求13-15任一项所述的系统，其特征在于，所述负载为芯片；或，所述负载为芯片，以及与所述芯片连接的外围电路。