[实用新型]控制电压的器件、供电电路及电路系统

说明书

本实用新型公开了控制电压的器件、供电电路及电路系统，其中，一器件，包括耗尽型MOSFET核，所述MOSFET核包括漏极D、栅极G、源极S；所述漏极D构成器件上用于与供电第一端连接的第一供电引脚a，栅极G构成器件上用于与供电第二端及负载第二端进行连接的第二供电引脚b，所述源极S构成器件上用于与负载连接的负载引脚c。本实用新型克服了传统供电电路缺点，简化了电路结构，节省了元器件，降低成本，提升了性能。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其是涉及器件、供电电路以及相应的芯片电路系统。

背景技术

传统的芯片供电电路是利用电阻R进行限流，用稳压二极管进行稳压。如图1所示，在供电区I电阻R与稳压二极管DZ串联后两端分别连接到高电位端1（例如，其可以是直接连接的电源正极，或相当于电源并提供电能的电路中的正极）、低电位端2（例如，其可以是直接连接的电源负极，或相当于电源并提供电能的电路中的负极；图中所示，所述负极为电路公共端，该公共端接地（连接电路系统的GND端））。在负载区Ⅱ的芯片5（负载）的GND脚与低电位端2连接（接地的电路公共端），芯片5的VCC脚（电源引脚）连接到电阻R与稳压二极管之间。此时，VCC脚的电压即为稳压二极管的反向击穿电压。采用上述技术方案当电路中出现浪涌电流时，电阻也能够对浪涌电流起到一定的抑制作用。但是此种方法有一定的缺陷。若电路中的浪涌电流过大烧坏了电阻，电路将无法再继续对芯片进行供电，从而芯片将停止工作。而且，上述技术方案需要至少2个元器件（电阻和稳压二极管），电路的复杂度、功耗和焊接安装效率相对较低。

实用新型内容

针对上述不足，本实用新型的目的是提供一种新的保证输出电压稳定的方法，以及器件。尤其是，性能更为优越的稳压器件；进一步地，提高利用所示稳压器件实现的供电电路，以及，芯片电路系统。

本实用新型包括：

一器件，包括耗尽型MOSFET核，所述MOSFET核包括漏极D、栅极G、源极S；所述漏极D构成器件上用于与供电第一端连接的第一供电引脚a，栅极G构成器件上用于与供电第二端及负载第二端进行连接的第二供电引脚b，所述源极S构成器件上用于与负载连接的负载引脚c。

优选地，所述耗尽型MOSFET核为N沟道耗尽型MOSFET核，所述供电第一端为高电位端，所述供电第二端为低电位端，所述负载引脚c电位高于所述第二供电引脚b的电位。

优选地，所述耗尽型MOSFET核工作于亚阈状态。

优选地，所述负载的工作电压绝对值小于并接近所述耗尽型MOSFET的阈值电压绝对值。

优选地，阈值电压绝对值×（1-20%）≤负载工作电压绝对值≤阈值电压绝对值。

优选地，阈值电压绝对值×（1-5%）≤负载工作电压绝对值≤阈值电压绝对值。

优选地，所述的亚阈状态限定标准为：所述器件上的电压变化比>0.5%；优选为，电压变化比≥1%，更进一步地，电压变化比≥10%。

优选地，根据电路参数需要，选择恰当的值作为稳压值。

优选地，所述负载的工作电压绝对值最低工作电压≤阈值电压绝对值≤负载的限制电压绝对值，或，阈值电压绝对值 =负载的限制电压绝对值。

供电电路，包括来自供电侧的供电第一端、供电第二端，实用新型进一步包括如上所述的器件；所述器件的第一供电引脚a连接到供电第一端、第二供电引脚b连接到供电第二端并与负载第二端连接；负载引脚c用于直接连接负载第一端，并向所述负载提供相对于第二供电引脚b的正向电压。