[实用新型]一种多芯片层叠扇出型封装结构有效
| 申请号： | 201821906749.2 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN208904014U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 朱强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 金属柱 芯片 金属互连层 上下表面 电连接 扇出型封装 多芯片 底面 焊球 外接 贯穿 本实用新型 芯片倒装 芯片焊盘 焊盘 背面 嵌入 覆盖 | ||
1.一种多芯片层叠扇出型封装结构，包括：
第一介质层；
第一金属柱，所述第一金属柱设置在所述第一介质层内，且贯穿所述第一介质层上下表面；
第二金属柱，所述第二金属柱设置在所述第一介质层内，且贯穿所述第一介质层上下表面；
第一芯片，所述第一芯片嵌入在所述第一介质层内，且贯穿所述第一介质层上下表面；
第二芯片，所述第二芯片设置在所述第一芯片的背面；
引线，所述引线电连接所述第二芯片焊盘至所述第一金属柱；
第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第二芯片、引线和第一金属柱表面；
第三芯片，所述第三芯片倒装焊至所述第二金属柱；
第三介质层，所述第三介质层位于所述第一介质层底面；
金属互连层，所述金属互连层电连接至所述第一金属柱、第二金属柱和所述第一芯片的焊盘；
第四介质层，所述第四介质层位于所述第三介质层底面；以及
外接焊球，所述外接焊球电连接至所述金属互连层。
2.如权利要求1所述的多芯片层叠扇出型封装结构，其特征在于，所述第一介质层和/或第二介质层和/或第三介质层和/或第四介质层的材料为绝缘树脂。
3.如权利要求1所述的多芯片层叠扇出型封装结构，其特征在于，还包括贴片层，所述贴片层位于所述第三介质层与第一芯片之间，覆盖第一芯片正面除焊盘之外区域。
4.如权利要求1所述的多芯片层叠扇出型封装结构，其特征在于，所述第一金属柱位于所述第二金属柱内侧，且第一金属柱与第二金属柱高度相同。
5.如权利要求1所述的多芯片层叠扇出型封装结构，其特征在于，还包括粘接层，所述粘接层将所述第二芯片背面粘接至所述第一芯片背面。
6.如权利要求1所述的多芯片层叠扇出型封装结构，其特征在于，所述第二介质层未覆盖所述第二金属柱。
7.如权利要求1所述的多芯片层叠扇出型封装结构，其特征在于，所述金属互连层进一步包括层间导电通孔、重新布局布线层和外接焊盘。
8.如权利要求7所述的多芯片层叠扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布局布线层具有N层，其中N≥2。
9.如权利要求7所述的多芯片层叠扇出型封装结构，其特征在于，所述第三芯片是通过导电铜柱倒装焊至所述第二金属柱。
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