[实用新型]一种微型器件转移装置及转移系统有效
申请号: | 201821909442.8 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN209087798U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 韩进龙 | 申请(专利权)人: | 韩进龙 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人: | 王亚军 |
地址: | 243000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型器件 感应装置 转移装置 转移系统 本实用新型 电场感应 转换机构 转印技术 电子制造领域 清洁机构 相对设置 转移基板 转移效率 错误率 转写轮 准确率 回收 | ||
本实用新型公开了一种微型器件转移装置及转移系统,属于电子制造领域。针对现有技术中存在的微型器件转移效率低、错误率高的问题,本实用新型提供了一种微型器件转移装置及转移系统,微型器件转移装置,包括,微型器件转移匣,存放微型器件,并将微型器件转移至转换机构的感应装置上;转换机构,包括感应装置和与感应装置相对设置的转写轮,利用电场感应转印技术进行微型器件的转移,将感应装置上的微型器件转移至转移基板上;清洁机构,将感应装置上未转移完全的微型器件回收。利用电场感应转印技术来对微型器件进行巨量转移,它可以实现微微型器件的巨量转移,效率高、准确率好。
技术领域
本实用新型涉及电子制作技术领域,更具体地说,涉及一种微型器件转移装置及转移系统。
背景技术
微型器件尺寸小,精度高,现有的微型器件的转移和装配主要通过吸附的方式来进行转移,如真空系统吸附进行转移等方法,但是转移效率低,成本高,针对于微型器件如微发光二极管,或其他电子微型器件。
随着光电科技的进步,许多光电组件的体积逐渐往小型化发展,近几年来更陆续推出各种微显示器(Micro-display)技术。其中,由于发光二极管LED制作尺寸上的突破,目前将发光二极管以数组排列制作的微发光二极管,即Micro-LED显示器在市场上逐渐受到重视。微发光二极管显示器不同主动式发光组件显示器,其除了在对比度及能耗方面不逊于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器外,在可靠性及寿命亦占据绝对优势,因此,微发光二极管显示器有极大潜力成为未来行动通讯电子与物联网应用穿戴式电子的主流显示器技术。
微发光二极管显示器是将发光二极管以数组排列于电路基板上,以形成投影画面或显示画面的画素。在微发光二极管显示器的制作过程中,必须将多个发光二极管组件排列于基板上同时也必须将发光二极管组件对位至基板上预定的接点位置。而当欲以不同颜色的发光二极管实现彩色显示,甚至是全彩显示时如何能达到快速封装以及精确对位实为相当重要的课题。发光组件的发光颜色包括红色绿色以及蓝色,此外,这些发光组件的发光颜色亦可以包括其他不同的颜色,在一些实施例中可以由一发光组件发出单一颜色的光,亦可以由一发光组件发出不同颜色的光。微发光二极管显示技术是一种自发光显示技术,通过薄膜化、微小化与阵列化发光二极管的结构,将发光二极管的体积至少缩小至原来体积的1%,具有功耗低、亮度高、分辨率高、色彩饱和度高、响应速度快、使用寿命长等特性,发展潜力甚受瞩目。在微发光二极管产品化的过程中,其关键在于如何实现“巨量晶粒转移”,即如何将大量的微发光二极管转移到基板上。在现有技术中,通常采用微机电系统(MEMS)拾取微发光二极管,然而,MEMS拾取工艺对微发光二极管转移前后所在基底的平整度、洁净度等都有很高的要求,拾取过程的控制复杂,成本很高。
如中国专利申请,申请号201711354228.0,公开日2018年5月8日,发明提供一种微发光二极管转移方法,提供一个LED芯片初始基底,所述LED芯片初始基底设置有多个LED芯片。同时,提供一个设置有多个凹槽的转移底板,将所述多个LED芯片转移至所述多个凹槽中,获得承载所述多个LED芯片的转移底板。并且,提供一个电路基板,使所述转移底板与所述电路基板贴合,并将所述多个LED芯片的电极与所述电路基板焊接。将所述转移底板与所述电路基板分离。将所述多个LED芯片设置于所述LED芯片初始基底,并通过所述转移底板将所述多个LED芯片转移至所述电路基板,可以每次转移大量的LED芯片,提高了生产效率,避免了芯片偏移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造