[实用新型]一种槽间承接盘的清洗装置及清洗机有效
申请号: | 201821909874.9 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN209287904U | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 颜超仁;赵黎;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | B08B9/093 | 分类号: | B08B9/093;B08B3/08;F26B21/00 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承接盘 槽间 水槽 化学药液 清洗装置 酸洗槽 晶圆 清洗模块 清洗机 良率 种槽 冲洗 残留 本实用新型 操作过程 干燥模块 结晶现象 金属污染 晶圆缺陷 流体干燥 气态流体 有效预防 飞溅 滴落 废液 腐蚀 生产 | ||
本实用新型提供了一种槽间承接盘的清洗装置及清洗机,所述槽间承接盘的清洗装置包括液体清洗模块和气态流体干燥模块,所述液体清洗模块用于冲洗所述槽间承接盘,所述气态流体干燥模块用于干燥冲洗后的所述槽间承接盘。避免了晶圆在从酸洗槽转移到水槽的过程中滴落的化学药液残留在酸洗槽和水槽之间的槽间承接盘上,从而避免了槽间承接盘上发生结晶现象,避免了微粒的产生,从而避免了微粒导致的晶圆缺陷,还能够有效预防化学药液对槽间承接盘的腐蚀,从而避免了金属污染,大大提高了晶圆的生产良率,此外,酸洗槽和水槽之间的槽间承接盘上不会残留化学药液,还避免了操作过程中槽间承接盘上的废液飞溅,从而提高了晶圆的生产良率。
技术领域
本实用新型属于半导体设备制造领域,涉及一种槽间承接盘的清洗装置及清洗机。
背景技术
图1,是现有技术中的一种清洗机的槽间承接盘1的结构示意图,请参考图1,现有技术中的一种清洗机的槽间承接盘1在同时垂直于靠近所述清洗机的水槽2或酸洗槽3的外槽壁和水平面的一平面上的正投影形状为扩口形凹口,所述槽间承接盘1的底面上开设有一用于排出所述槽间承接盘1上的液体的泄漏通道4。
目前半导体行业对晶圆制造湿法清洗工艺的要求越来越高,清洗机中的晶圆5在从酸洗槽3转移到水槽2的过程中会有化学药液滴落在酸洗槽3和水槽2之间的槽间承接盘1上,化学药液冷却之后溶质容易发生结晶现象,结晶会产生微粒6,晶圆5上的酸液滴落到微粒6上导致微粒6会飞溅至晶圆5的表面,从而导致晶圆5的表面粘附有微粒6,造成晶圆缺陷;此外,残留在槽间承接盘1上的化学药液或结晶产生的晶体会腐蚀槽间承接盘1,进而导致水槽2和酸洗槽3受到金属污染,严重影响晶圆良率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种槽间承接盘的清洗装置及清洗机,以解决现有技术中的槽间承接盘的结晶现象导致的晶圆缺陷的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种槽间承接盘的清洗装置,用于清洗机上,包括液体清洗模块和气态流体干燥模块,所述液体清洗模块用于冲洗所述槽间承接盘,所述气态流体干燥模块用于干燥冲洗后的所述槽间承接盘。
优选地,所述液体清洗模块包括冲洗喷嘴、清洗液源及清洗管路,所述气态流体干燥模块包括流体气源和干燥管路;
所述冲洗喷嘴位于所述清洗机上靠近所述槽间承接盘的两个相对设置的外槽壁的其中一个所述外槽壁和/或另一个所述外槽壁上,所述清洗管路的一端连接于所述冲洗喷嘴,所述清洗管路的另一端连接于所述清洗液源,所述冲洗喷嘴喷出的液体用于冲洗所述槽间承接盘;
所述干燥管路的进口端连接于所述流体气源,所述干燥管路的出口端位于所述一个外槽壁和/或所述另一个外槽壁上,所述干燥管路的出口端喷出的气态流体用于干燥所述槽间承接盘;
且所述冲洗喷嘴和所述干燥管路的出口端均位于所述槽间承接盘的上方。
优选地,所述流体气源为氮气或惰性气体。
优选地,所述清洗液源为去离子水。
优选地,所述液体清洗模块与所述清洗机的水槽共用一个水源。
优选地,还包括第一截止阀、第二截止阀及一个节流阀,所述第一截止阀和所述节流阀分别连接于所述清洗管路中,所述第二截止阀连接于所述干燥管路中。
优选地,所述液体清洗模块包括一独立设置的清洗液源。
优选地,所述冲洗喷嘴的数量为多个,且多个所述冲洗喷嘴位于同一水平面上。
优选地,所述干燥管路的出口端有多个,且多个所述干燥管路的出口端与多个所述冲洗喷嘴位于同一水平面上。
优选地,所述冲洗喷嘴的数量为四个,所述干燥管路的出口端为两个,
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