[实用新型]晶圆和半导体器件有效
| 申请号： | 201821921900.X | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209087831U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/77;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 允收测试 电路 介质层 龟裂 半导体器件 保护层材料 衬底 切割 半导体技术领域 芯片 金属互连层 沟槽填充 缓冲芯片 应力问题 保护层 切割道 良率 种晶 填充 | ||
1.一种晶圆，包括晶粒区域和切割道区域，其特征在于，所述切割道区域包括：
衬底；
介质层，位于远离所述衬底的一侧面上；
晶圆允收测试电路，形成于所述介质层中，所述晶圆允收测试电路包括金属互连层；
沟槽，形成于所述介质层中位于所述晶圆允收测试电路侧部，所述沟槽填充有保护层；
其中，所述沟槽的深度大于等于所述晶圆允收测试电路的深度。
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述切割道区域还包括测试焊垫，所述测试焊垫位于介质层上。
3.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽包围所述晶圆允收测试电路。
4.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽在垂直于切割方向存在有缺口。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆，其特征在于，所述保护层包括聚酰亚胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽的宽度为1-10微米，和/或所述沟槽距离所述晶圆允收测试电路的水平距离为1-10微米。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽的深度大于所述晶圆允收测试电路的深度超过100nm。
8.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽的纵切面呈矩形或倒梯形。
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽的俯视图呈矩形、圆形或者椭圆形。
10.根据权利要求9所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽的俯视图呈多层矩形、多层圆形或者多层椭圆形。
11.一种半导体器件，其特征在于，包括根据权利要求1-10中任意一项所述的晶圆。
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