[实用新型]一种低噪声的带隙基准电压源有效

专利信息
申请号: 201821926502.7 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN208848105U 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 黄少卿;朱琪;顾小明;罗永波;宣志斌;肖培磊 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 带隙基准电压源 低噪声 正温度系数电压 误差放大器 每一级 模拟电路技术 本实用新型 闭环负反馈 正温度系数 层叠方式 基准噪声 偏置电路 第三级 第一级 子电路 芯片
【权利要求书】:

1.一种低噪声的带隙基准电压源,包括偏置电路210,其特征在于,还包括:三级层叠ΔVBE产生电路和误差放大器205;其中,

三级层叠ΔVBE产生电路包括第一级层叠ΔVBE产生电路220、第二级层叠ΔVBE产生电路230和第三级层叠ΔVBE产生电路240,每一级层叠ΔVBE产生电路分别产生一个正温度系数电压,所述误差放大器205与每一级层叠ΔVBE产生电路构成闭环负反馈,三级层叠ΔVBE产生电路所产生的正温度系数电压之和即为带隙基准电压源的正温度系数ΔVBE

2.如权利要求1所述的低噪声的带隙基准电压源,其特征在于,所述第一级层叠ΔVBE产生电路220包括NPN三极管Q1A、Q2A、Q4和电阻R4A;其中,

NPN三极管Q1A的集电极与所述误差放大器205的负输入端相连,NPN三极管Q1A的基极与电阻R4A的第一输入端和电阻R5的第一输入端相连,NPN三极管Q1A的发射极和NPN三极管Q2A的发射极一起与NPN三极管Q4的集电极相连,NPN三极管Q2A的集电极与所述误差放大器205的正输入端相连,NPN三极管Q2A的基极与电阻R4A的第二输入端相连,NPN三极管Q4的发射极接地。

3.如权利要求1所述的低噪声的带隙基准电压源,其特征在于,所述第二级层叠ΔVBE产生电路230包含NPN三极管Q1B、Q2B、Q10和电阻R4B;其中,

NPN三极管Q1B的集电极与误差放大器205的负输入端相连,NPN三极管Q1B的基极与电阻R4B的第一输入端和电阻R4A的第二输入端相连,NPN三极管Q1B的发射极和NPN三极管Q2B的发射极一起与NPN三极管Q10的集电极相连,NPN三极管Q2B的集电极与误差放大器205的正输入端相连,NPN三极管Q2B的基极与电阻R4B的第二输入端相连,NPN三极管Q10的发射极接地。

4.如权利要求1所述的低噪声的带隙基准电压源,其特征在于,所述第三级层叠ΔVBE产生电路240包含NPN三极管Q1C、Q2C、Q11和电阻R4C;其中,

NPN三极管Q1C的集电极与误差放大器205的负输入端相连,NPN三极管Q1C的基极与电阻R4C的第一输入端和电阻R4B的第二输入端相连,NPN三极管Q1C的发射极和NPN三极管Q2C的发射极一起与NPN三极管Q11的集电极相连,NPN三极管Q2C的集电极与误差放大器205的正输入端相连,NPN三极管Q2C的基极与电阻R4C的第二输入端相连,NPN三极管Q11的发射极接地。

5.如权利要求1-4任一所述的低噪声的带隙基准电压源,其特征在于,所述偏置电路210包括PNP三极管Q8、Q7,电阻R6,NPN三极管Q5、Q6、Q9;其中,

PNP三极管Q8的发射极连接电源电压VDD,PNP三极管Q8的基极接偏置电压Vb,PNP三极管Q8的集电极连接NPN三极管Q6的集电极和基极,NPN三极管Q6的发射极接地;NPN三极管Q5的基极与NPN三极管Q6的集电极和基极相连,NPN三极管Q5的集电极与电阻R6的第二输入端和NPN三极管Q9的基极相连,NPN三极管Q5的发射极接地;电阻R6的第一输入端与PNP三极管Q7的集电极相连,PNP三极管Q7的基极接偏置电压Vb,PNP三极管Q7的发射极连接电源电压VDD,NPN三极管Q9的集电极连接电源电压VDD,NPN三极管Q9的发射极接基准电压VREF

6.如权利要求5所述的低噪声的带隙基准电压源,其特征在于,所述NPN三极管Q5、Q6的基极与NPN三极管Q4的基极、NPN三极管Q10的基极和NPN三极管Q11的基极互连。

7.如权利要求1所述的低噪声的带隙基准电压源,其特征在于,所述低噪声的带隙基准电压源还包括电阻R1、R2、R3、R5和NPN三极管Q3;其中,

所述误差放大器205的正输入端与电阻R2的第一输入端相连,负输入端与电阻R1的第一输入端相连,所述误差放大器的输出端与所述电阻R1的第二输入端、所述电阻R2的第二输入端和电阻R3的第二输入端相连,作为基准电压VREF输出,所述NPN三极管Q3的基极与集电极短接形成二极管形式,并与电阻R5的第二输入端相连,所述NPN三极管Q3的发射极接地。

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