[实用新型]一种低噪声的带隙基准电压源有效
申请号: | 201821926502.7 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN208848105U | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 黄少卿;朱琪;顾小明;罗永波;宣志斌;肖培磊 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带隙基准电压源 低噪声 正温度系数电压 误差放大器 每一级 模拟电路技术 本实用新型 闭环负反馈 正温度系数 层叠方式 基准噪声 偏置电路 第三级 第一级 子电路 芯片 | ||
本实用新型公开一种低噪声的带隙基准电压源,属于模拟电路技术领域。所述低噪声的带隙基准电压源包括偏置电路、三级层叠ΔVBE产生电路和误差放大器;其中,三级层叠ΔVBE产生电路包括第一级层叠ΔVBE产生电路、第二级层叠ΔVBE产生电路和第三级层叠ΔVBE产生电路,每一级层叠ΔVBE产生电路分别产生一个正温度系数电压,所述误差放大器与每一级层叠ΔVBE产生电路构成闭环负反馈,三级层叠ΔVBE产生电路所产生的正温度系数电压之和即为带隙基准电压源的正温度系数ΔVBE。通过子电路层叠方式,可得到一个较大的ΔVBE,同时又能降低基准噪声和芯片面积。
技术领域
本实用新型涉及模拟电路技术领域,特别涉及一种低噪声的带隙基准电压源。
背景技术
通常来说,带隙基准电压是由正温度系数(PTAT)电压和负温度系数(CTAT)电压相加而得的、与温度无关的电压值。其中CTAT电压是由以二极管连接方式的三极管BE结电压所产生的,记为VBE;PTAT电压是由两个不同电流密度的三极管的BE结压差所产生的,记为ΔVBE;带隙基准电压值VREF就是PTAT电压和CTAT电压之和,用数学式表示为VREF=VBE+ΔVBE。
图1所示为一种传统的带隙基准电压源电路,包含偏置电路110,ΔVBE产生电路120,误差放大器105,电阻R11、R12、R13、R15和NPN三极管Q13。误差放大器105的正输入端与电阻R12的第一输入端相连,负输入端与电阻R11的第一输入端相连,误差放大器105的输出端与电阻R11的第二输入端、电阻R12的第二输入端和电阻R13的第二输入端相连,作为基准电压VREF输出,NPN三极管Q13的基极与集电极短接形成二极管形式,并与电阻R15的第二输入端相连,NPN三极管Q13的发射极接地。误差放大器105与ΔVBE产生电路120构成闭环回路,使输出基准电压VREF稳定。
所述偏置电路110包含PNP三极管Q18、Q17,电阻R16,NPN三极管Q15、Q16、Q19。PNP三极管Q18的发射极连接电源电压VDD,PNP三极管Q18的基极接偏置电压Vb,PNP三极管Q18的集电极连接NPN三极管Q16的集电极和基极,NPN三极管Q16的发射极接地。NPN三极管Q15的基极与NPN三极管Q16的集电极和基极相连,NPN三极管Q15的集电极与电阻R16的第二输入端和NPN三极管Q19的基极相连,NPN三极管Q15的发射极接地。电阻R16的第一输入端与PNP三极管Q17的集电极相连,PNP三极管Q17的基极接偏置电压Vb,PNP三极管Q17的发射极连接电源电压VDD,NPN三极管Q19的集电极连接电源电压VDD,NPN三极管Q19的发射极接基准电压VREF。偏置电路110的作用是给R11、R12和R13支路提供偏置电流。
所述ΔVBE产生电路120包含NPN三极管Q20、Q12、Q14和电阻R14,NPN三极管Q20的集电极与误差放大器105的负输入端相连,NPN三极管Q1的基极与电阻R14的第一输入端相连,NPN三极管Q20的发射极和NPN三极管Q12的发射极一起与NPN三极管Q14的集电极相连,NPN三极管Q12的集电极与误差放大器105的正输入端相连,NPN三极管Q12的基极与电阻R14的第二输入端相连,NPN三极管Q14的基极与NPN三极管Q15、Q16的基极互连,NPN三极管Q14的发射极接地。ΔVBE产生电路120的作用是产生一个正温度系数的ΔVBE值。
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