[实用新型]一种晶片在位检测系统有效
| 申请号： | 201821927313.1 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209150053U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李亮亮 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电信号转换器 晶片 光信号发射器 在位检测系统 本实用新型 控制器 种晶 电信号传递 光信号转换 发射检测 在位检测 反射 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片在位检测系统，其特征在于，包括控制器、晶片、至少一个光信号发射器和至少一个光电信号转换器，其中：
所述光信号发射器用于向所述晶片发射检测光；
所述光电信号转换器用于接收所述晶片反射的光信号，并且将所述光信号转换成电信号；
所述光电信号转换器将所述电信号传递给所述控制器；其中，所述光信号发射器和所述光电信号转换器一一对应。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述光信号发射器和对应的光电信号转换器集成在一个部件上。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述光信号发射器与对应的光电信号转换器集成在反射式光电传感器上。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述控制器通过输入输出耦合端子与所述反射式光电传感器相连。
5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述反射式光电传感器的型号为PX-H61。
6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括报警装置，所述报警装置与所述控制器相连。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述报警装置采用报警灯和/或扬声器。
8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括上位机，所述上位机与所述控制器相连。
9.根据权利要求1至8任一项所述的系统，其特征在于，所述控制器的型号为C6930-0040。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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