[实用新型]一种薄膜热电偶两分层温度传感器有效
| 申请号： | 201821930378.1 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209166667U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 孙航;雷玥;强熙隆;郭珊珊 | 申请（专利权）人： | 陕西电器研究所 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人： | 佘文英 |
| 地址： | 710025 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜热电偶 本实用新型 测温元件 两层 薄膜 温度传感器 固体材料 硅衬底 测点 分层 测量 传感器结构 传感器探头 磁控溅射法 准确度 探头支座 温度测量 传感器 交接处 溅射 埋入 偶丝 热结 探头 置入 响应 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜热电偶两分层温度传感器，包括测温元件和传感器结构体，其特征是：测温元件是薄膜热电偶(7)型测温元件，薄膜热电偶(7)包括硅衬底(4)以及在硅衬底(4)上溅射的两层薄膜，两层薄膜分别与各自相同材料的偶丝连接，两层薄膜交接处形成热结点(1)，热结点(1)处对传感器探头内部两处不同深度测点处的温度进行测量。
2.如权利要求1所述的一种薄膜热电偶两分层温度传感器，其特征是：薄膜热电偶(7)包括硅衬底(4)以及在硅衬底(4)上溅射的NiCr薄膜(3)和NiSi薄膜(2)，NiCr薄膜(3)与一个偶丝(6)连接，NiSi薄膜(2)与另一个偶丝(5)连接，NiCr薄膜(3)和NiSi薄膜(2)交接处形成一个热结点(1)。
3.如权利要求2所述的一种薄膜热电偶两分层温度传感器，其特征是：一个偶丝(6)的材料是NiCr；另一个偶丝(5)的材料是NiSi。
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