[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有至少一个鳍片，所述鳍片具有沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的两个相对的端上的竖直鳍片部，两个所述竖直鳍片部之间界定出沿第一方向延伸的第一沟槽，每个所述竖直鳍片部的顶端部中形成有一第一源漏掺杂区，所述水平鳍片部中设有一第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区沿所述第二方向从所述水平鳍片部被一个所述竖直鳍片部覆盖的部分中延伸至被另一个所述竖直鳍片部覆盖的部分中；以及，

栅极，环绕在所述竖直鳍片部的侧壁上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底还具有用于定义出所述鳍片所在区域的第二沟槽和隔离沟槽，所述第二沟槽沿所述第二方向延伸并暴露出所述鳍片沿所述第二方向延伸的侧壁，所述隔离沟槽沿所述第一方向延伸并暴露出所述鳍片沿所述第一方向延伸的外侧壁；所述第一沟槽和所述隔离沟槽沿着所述第一方向的端部均延伸至所述第二沟槽，以和所述第二沟槽在所述第二沟槽的侧壁上连通，并且所述第一沟槽的底表面高于所述第二沟槽的底表面，所述隔离沟槽的底表面与所述第二沟槽的底表面齐平，以使包含所述第二源漏掺杂区在内的所述水平鳍片部的侧壁暴露于所述第二沟槽中，所述第二沟槽中埋设有沿着所述第二方向延伸的埋入式导线，所述埋入式导线和所述第二源漏掺杂区电连接。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述的半导体器件还包括导电接触结构，所述导电接触结构形成在所述第二沟槽中，并设置在所述埋入式导线和所述第二源漏掺杂区之间，所述导电接触结构的一侧壁与所述第二源漏掺杂区的侧壁表面接触，所述导电接触结构的另一侧壁与所述埋入式导线的侧壁表面接触，所述导电接触结构的底表面与所述第二沟槽底部的半导体衬底表面绝缘隔离，且所述导电接触结构沿所述第二方向延伸的长度小于或等于所述第二源漏掺杂区沿第二方向延伸的长度。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括第一介质层，所述第一介质层填充在所述第二沟槽的底部和所述隔离沟槽的底部上，所述埋入式导线形成于所述第一介质层上。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括栅介质层和栅极隔离层，所述栅介质层位于所述栅极和所述鳍片之间，所述栅极隔离层填充在所述第一沟槽、第二沟槽和隔离沟槽中，以将所述栅极掩埋在内。

6.如权利要求2至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底具有分布于所述第二沟槽两侧的鳍片，且所述第二沟槽两侧的鳍片对齐或者交错排布。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为存储器，包括沿所述第一方向和所述第二方向排列呈阵列的多个所述鳍片，在所有的所述鳍片中，沿所述第一方向对齐排布在同一直线上的多个所述竖直鳍片部的侧壁上环绕的所述栅极相互电性连接，构成所述存储器的字线；以及，沿所述第二方向对齐排布在同一直线上的多个所述第二源漏掺杂区连接至同一所述埋入式导线，所述埋入式导线构成所述存储器的位线。