[实用新型]一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架

权利要求书

1.一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架，包括晶片座以及设置在晶片座下部的外引脚，其特征在于，所述晶片座包括固定板部分以及设置在固定板部分下部的晶体承载部分，所述晶体承载部分的四周设置有设置在晶体承载部分上的鸠尾槽组，所述鸠尾槽组包括U型鸠尾槽、设置在U型鸠尾槽两侧的纵向鸠尾槽以及设置在U型鸠尾槽上部的横向鸠尾槽；

所述U型鸠尾槽、纵向鸠尾槽以及横向鸠尾槽内均设置有至少两组新型凹坑，所述新型凹坑包括设置在鸠尾槽组底部的圆台型槽以及设置在圆台型槽底部的球槽，所述两个球槽的球心距为R0.1mm。

2.根据权利要求1所述的一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架，其特征在于，所述固定板部分的中部设置有固定孔。

3.根据权利要求2所述的一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架，其特征在于，所述鸠尾槽包括矩形槽以及与设置在矩形槽中间下部且与矩形槽连通设置的梯形槽。

4.根据权利要求3所述的一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架，其特征在于，所述矩形槽包括两个垂直立面以及两个与垂直立面垂直设置的底短面。

5.根据权利要求4所述的一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架，其特征在于，所述梯形槽包括两个斜面以及与底短面水平设置的底长面。

6.根据权利要求5所述的一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架，其特征在于，所述新型凹坑设置在底短面和底长面上。