[实用新型]一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架有效
申请号: | 201821940708.5 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN208861974U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 刘海;刘成硕 | 申请(专利权)人: | 济南界龙科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙) 37278 | 代理人: | 庞庆芳 |
地址: | 251400 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 鸠尾槽 凹坑 本实用新型 横向鸠尾槽 纵向鸠尾 导线架 电晶体 高功率 固定板 晶片座 承载 表面摩擦力 增设 电子封装 生产效率 脱胶现象 引线框架 不良率 外引脚 稳固性 有效地 冲压 两组 咬合 合格率 剥离 | ||
本实用新型属于电子封装用引线框架冲压生产领域,涉及一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架,包括晶片座和外引脚,晶片座包括固定板部分以及设置在固定板部分下部的晶体承载部分,晶体承载部分的四周设置有设置在晶体承载部分上的鸠尾槽组,鸠尾槽组包括U型鸠尾槽、设置在U型鸠尾槽两侧的纵向鸠尾槽以及设置在U型鸠尾槽上部的横向鸠尾槽;U型鸠尾槽、纵向鸠尾槽以及横向鸠尾槽内均设置有至少两组新型凹坑。本实用新型中鸠尾槽中新型凹坑的设计,其密集的新型凹坑,来增大其表面摩擦力和接触面积,增加胶体咬合强度,避免胶体剥离,防止脱胶现象的发生,提高产品的合格率和胶体的稳固性;还可以有效地降低了产品不良率,提高了生产效率。
技术领域
本实用新型属于电子封装用引线框架冲压生产领域,尤其涉及一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架。
背景技术
随着科技的进步,大功率电子产品需求日益增加,市场对引线框架需求越来越多,对于高功率电晶体导线架的要求也不断的增加,其中由于晶片座表面比较光滑,即封胶之后由于胶体与框架之间摩擦力较小,较容易造成胶体与框架之间粘连不良,造成胶体脱落,增加不良率,导致工作稳定性差。
实用新型内容
本实用新型针对上述的问题,提供了一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为,本实用新型提供一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架,包括晶片座以及设置在晶片座下部的外引脚,所述晶片座包括固定板部分以及设置在固定板部分下部的晶体承载部分,所述晶体承载部分的四周设置有设置在晶体承载部分上的鸠尾槽组,所述鸠尾槽组包括U型鸠尾槽、设置在U型鸠尾槽两侧的纵向鸠尾槽以及设置在 U型鸠尾槽上部的横向鸠尾槽;
所述U型鸠尾槽、纵向鸠尾槽以及横向鸠尾槽内均设置有至少两组新型凹
坑,所述新型凹坑包括设置在鸠尾槽组底部的圆台型槽以及设置在圆台型
槽底部的球槽,所述两个球槽的球心距为R0.1mm。
作为优选,所述固定板部分的中部设置有固定孔。
作为优选,所述鸠尾槽包括矩形槽以及与设置在矩形槽中间下部且与矩形槽连通设置的梯形槽。
作为优选,所述矩形槽包括两个垂直立面以及两个与垂直立面垂直设置的底短面。
作为优选,所述梯形槽包括两个斜面以及与底短面水平设置的底长面。
作为优选,所述新型凹坑设置在底短面和底长面上。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果在于,
1、本实用新型中鸠尾槽中新型凹坑的设计,其密集的新型凹坑,来增大其表面摩擦力和接触面积,增加胶体咬合强度,避免胶体剥离,防止脱胶现象的发生,提高产品的合格率和胶体的稳固性;还可以有效地降低了产品不良率,提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实施例1提供的一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架的主视图;
图2为实施例1提供的一种鸠尾槽中增设凹坑的高功率电晶体导线架的侧视图;
图3为图2中A的局部放大图;
图4为图3中B的局部放大图;
图5为鸠尾槽局部立体结构示意图;
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