[实用新型]一种基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构有效
| 申请号： | 201821950559.0 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN209029359U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 于中尧 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 基板 互连金属层 介质层 嵌入槽 封装结构 工艺模块 金属膜 全屏蔽 阻焊层 焊球 绿油 埋入 覆盖 本实用新型 基板下表面 焊盘位置 基板表面 接地屏蔽 芯片正面 内壁 | ||
1.一种基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，包括：
基板，所述基板具有芯片嵌入槽；
金属膜，所述金属膜覆盖所述基板表面和芯片嵌入槽的内壁；
芯片，所述芯片设置在所述基板的所述芯片嵌入槽中；
第一介质层，所述第一介质层覆盖在所述基板下表面和所述芯片正面；
互连金属层，所述互连金属层设置在第一介质层内和或外表面；
绿油阻焊层，所述绿油阻焊层覆盖除外接焊盘位置之外的所述互连金属层的外表面；
接地屏蔽焊球；以及
芯片焊球。
2.如权利要求1所述的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，所述芯片嵌入槽贯通所述基板。
3.如权利要求2所述的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，还包括：
第二介质层，所述第二介质层覆盖所述基板上表面和所述芯片背面；以及
屏蔽金属层，所述屏蔽金属层覆盖所述第一介质层外表面，且电连接至所述金属膜。
4.如权利要求3所述的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，所述互连金属层包括屏蔽接地互连、芯片重新布局布线和外接焊盘。
5.如权利要求4所述的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，所述接地屏蔽焊球通过所述屏蔽接地互连电连接至所述金属膜和所述屏蔽金属层。
6.如权利要求1所述的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，所述嵌入槽为M个，所述芯片为N个，其中M≥2，且M≥N。
7.如权利要求1或3所述的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，所述第一介质层和或第二介质层为半固化材料，且填充满所述芯片与所述芯片嵌入槽之间的间隙。
8.如权利要求1或4所述的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，所述芯片焊球通过所述芯片重新布局布线电连接至芯片焊盘。
9.如权利要求1所述的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，其特征在于，所述芯片嵌入槽未贯通所述基板，所述金属膜覆盖所述基板下表面、芯片嵌入槽的内壁和芯片嵌入槽的底部。
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