[实用新型]一种基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构

说明书

本实用新型公开了一种基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，包括：基板，所述基板具有芯片嵌入槽；金属膜，所述金属膜覆盖所述基板表面和芯片嵌入槽的内壁；芯片，所述芯片设置在所述基板的所述芯片嵌入槽中；第一介质层，所述第一介质层覆盖在所述基板下表面和所述芯片正面；互连金属层，所述互连金属层设置在第一介质层内和或外表面；绿油阻焊层，所述绿油阻焊层覆盖除外接焊盘位置之外的所述互连金属层的外表面；接地屏蔽焊球；以及芯片焊球。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构及其制作方法。

背景技术

射频(RF)等高频系统级封装(SIP，System In Package)模块在集成封装过程中，模块内的芯片之间经常发生信号串扰问题。

为了克服该问题，传统封装形式通过外部集成安装屏蔽罩或隔离墙结构实现模块内芯片间隔离以及电磁屏蔽。但这种方案往往会影响模块的整体尺寸，在空间有限的小型化系统集成封装时，往往受到很大限制，无法满足需求；另外金属屏蔽罩的贴装也增加了模块重量，也会影响基板布线，无法满足小型化等要求。此外，现有的传统方案还存在无法实现真正的全屏蔽隔离效果；互连焊线长度以及基板上线路所带来大的损耗，从而降低了信号传输性能；规模化生产效率低的缺点。

针对传统高频系统级封装存在的结构尺寸大、屏蔽效果差、互连损耗高以及规模化生产效率低等问题，本实用新型提出一种新型的基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构及其制作方法，在小封装尺寸下提高了封装结构的高频性能、降低了信号传输损耗，并能实现低成本规模化量产。

实用新型内容

针对传统高频系统级封装存在的结构尺寸大、屏蔽效果差、互连损耗高以及规模化生产效率低等问题，根据本实用新型的一个实施例，提供一种基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构，包括：

基板，所述基板具有芯片嵌入槽；

金属膜，所述金属膜覆盖所述基板表面和芯片嵌入槽的内壁；

芯片，所述芯片设置在所述基板的所述芯片嵌入槽中；

第一介质层，所述第一介质层覆盖在所述基板下表面和所述芯片正面；

互连金属层，所述互连金属层设置在第一介质层内和或外表面；

绿油阻焊层，所述绿油阻焊层覆盖除外接焊盘位置之外的所述互连金属层的外表面；

接地屏蔽焊球；以及

芯片焊球。

在本发明的一个实施例中，所述芯片嵌入槽贯通所述基板。

在本发明的一个实施例中，该基于基板埋入工艺模块的芯片间全屏蔽封装结构还包括：

第二介质层，所述第二介质层覆盖所述基板上表面和所述芯片背面；以及

屏蔽金属层，所述屏蔽金属层覆盖所述第一介质层外表面，且电连接至所述金属膜。

在本发明的一个实施例中，所述嵌入槽为M个，所述芯片为N个，其中 M≥2，且M≥N。

在本发明的一个实施例中，所述第一介质层和或第二介质层为半固化材料，且填充满所述芯片与所述芯片嵌入槽之间的间隙。

在本发明的一个实施例中，所述互连金属层包括屏蔽接地互连、芯片重新布局布线和外接焊盘。

在本发明的一个实施例中，所述接地屏蔽焊球通过所述屏蔽接地互连电连接至所述金属膜和所述屏蔽金属层。

在本发明的一个实施例中，所述芯片焊球通过所述芯片重新布局布线电连接至芯片焊盘。