[实用新型]一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片

权利要求书

1.一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片，包括衬底层(1)，其特征在于，所述衬底层(1)的上表面设置有缓冲层(2)，所述缓冲层(2)的上表面紧压设置有牺牲层(3)，所述牺牲层(3)的顶端固定连接有太阳能电池层(4)，所述太阳能电池层(4)的上表面设置有扩散层(5)，所述扩散层(5)的受光面设置有纳米球减反射层(6)。

2.根据权利要求1所述的一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片，其特征在于，所述牺牲层(3)包括第一牺牲层(31)、第二牺牲层(32)和第三牺牲层(33)，所述牺牲层(3)由下至上依次设置有第一牺牲层(31)、第二牺牲层(32)和第三牺牲层(33)。

3.根据权利要求2所述的一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片，其特征在于，所述第一牺牲层(31)的厚度为3微米，所述第二牺牲层(32)的厚度为2微米，所述第三牺牲层(33)的厚度为2微米。

4.根据权利要求1所述的一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片，其特征在于，所述太阳能电池层(4)包括第一欧姆接触层(41)、第一窗口层(42)、发射区层(43)、基区层(44)、背场层(45)、第二窗口层(46)和第二欧姆接触层(47)，所述太阳能电池层(4)由下至上依次设置有第一欧姆接触层(41)、第一窗口层(42)、发射区层(43)、基区层(44)、背场层(45)、第二窗口层(46)和第二欧姆接触层(47)，所述第一欧姆接触层(41)的上方设置有第一窗口层(42)，所述第一窗口层(42)的上表面设置有发射区层(43)，所述发射区层(43)的上表面设置有基区层(44)，所述基区层(44)的上表面设置有背场层(45)，所述背场层(45)的上表面设置有第二窗口层(46)，所述第二窗口层(46)的上表面设置有第二欧姆接触层(47)。

5.根据权利要求4所述的一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片，其特征在于，所述第一欧姆接触层(41)的厚度为200纳米，所述第一窗口层(42)的厚度为80纳米，所述发射区层(43)、基区层(44)和背场层(45)的总厚度为4微米，所述第二窗口层(46)的厚度为70纳米，所述第二欧姆接触层(47)的厚度为220纳米。

6.根据权利要求1所述的一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片，其特征在于，所述扩散层(5)包括吸收层Ⅰ(51)和吸收层Ⅱ(52)，所述吸收层Ⅰ(51)的上方紧压设置有吸收层Ⅱ(52)，且吸收层Ⅰ(51)和吸收层Ⅱ(52)均为金属栅状电极。

7.根据权利要求1所述的一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片，其特征在于，所述纳米球减反射层(6)包括硬涂层和低折射率层，且纳米球减反射层(6)的上表面覆压有防指纹膜。