[实用新型]一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片有效
申请号: | 201821954474.X | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN209029398U | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 万智;刘芬;林晓珊;徐培强;张银桥;汪洋;王向武 | 申请(专利权)人: | 南昌凯迅光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/0236;H01L31/0224 |
代理公司: | 南昌大牛专利代理事务所(普通合伙) 36135 | 代理人: | 喻莎 |
地址: | 330000 江西省南昌市新*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池层 外延片 光电转化效率 扩散层 上表面 减反射层 空间电池 超晶格 衬底层 腐蚀液 缓冲层 纳米球 牺牲层 电池 本实用新型 光生载流子 抗辐照性能 太阳能电池 导电能力 高倍聚光 使用寿命 收集效率 受光面 太阳光 紧压 侵入 损害 | ||
本实用新型公开了一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片,包括衬底层,所述衬底层的上表面设置有缓冲层,所述缓冲层的上表面紧压设置有牺牲层,所述牺牲层的顶端固定连接有太阳能电池层,所述太阳能电池层的上表面设置有扩散层,所述扩散层的受光面设置有纳米球减反射层。该外延片可以减少腐蚀液对太阳能电池层的损害,避免了腐蚀液侵入到太阳能电池层的现象,保护太阳能电池层的使用寿命;设置了扩散层,解决了在高倍聚光条件下太阳能电池能导电能力不足的问题,提高了太阳光的利用率;设置了纳米球减反射层,能够改善电池的抗辐照性能,提升光生载流子的收集效率,提高了电池外延片的光电转化效率。
技术领域
本实用新型涉及电池外延片技术领域,具体是一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片。
背景技术
现在太阳电池从材料上主要分两类,一种是硅太阳电池,一种是砷化镓太阳电池,外延片是在砷化镓太阳电池生产过程中,进行了砷化镓层外延生长后的半成品,后边只需在他上边进行电极制作等器件工序就可完成太阳电池生产,不过由于成本较高,砷化镓太阳电池一般用于空间飞行器,地面使用很少,砷化镓太阳能电池是目前空间卫星最主要的动力来源,它相比于其它光伏电池具有光电转化效率高、抗辐照性能好等特点,砷化镓太阳能电池目前具有多种结构和类型,有利于航空航天和便携式应用等,用途广泛。
但是,目前市场上的电池外延片的透光效率较低,光电转化效率不高,抗腐蚀能力较差。因此,本领域技术人员提供了一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片,以解决上述背景技术中提出的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种可提高光电转化效率的新型超晶格空间电池外延片,包括衬底层,所述衬底层的上表面设置有缓冲层,所述缓冲层的上表面紧压设置有牺牲层,所述牺牲层的顶端固定连接有太阳能电池层,所述太阳能电池层的上表面设置有扩散层,所述扩散层的受光面设置有纳米球减反射层。
作为本实用新型进一步的方案:所述牺牲层包括第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层,所述牺牲层由下至上依次设置有第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层。
作为本实用新型再进一步的方案:所述第一牺牲层的厚度为3微米,所述第二牺牲层的厚度为2微米,所述第三牺牲层的厚度为2微米。
作为本实用新型再进一步的方案:所述太阳能电池层包括第一欧姆接触层、第一窗口层、发射区层、基区层、背场层、第二窗口层和第二欧姆接触层,所述太阳能电池层由下至上依次设置有第一欧姆接触层、第一窗口层、发射区层、基区层、背场层、第二窗口层和第二欧姆接触层,所述第一欧姆接触层的上方设置有第一窗口层,所述第一窗口层的上表面设置有发射区层,所述发射区层的上表面设置有基区层,所述基区层的上表面设置有背场层,所述背场层的上表面设置有第二窗口层,所述第二窗口层的上表面设置有第二欧姆接触层。
作为本实用新型再进一步的方案:所述第一欧姆接触层的厚度为200纳米,所述第一窗口层的厚度为80纳米,所述发射区层、基区层和背场层的总厚度为4微米,所述第二窗口层的厚度为70纳米,所述第二欧姆接触层的厚度为220纳米。
作为本实用新型再进一步的方案:所述扩散层包括吸收层Ⅰ和吸收层Ⅱ,所述吸收层Ⅰ的上方紧压设置有吸收层Ⅱ,且吸收层Ⅰ和吸收层Ⅱ均为金属栅状电极。
作为本实用新型再进一步的方案:所述纳米球减反射层包括硬涂层和低折射率层,且纳米球减反射层的上表面覆压有防指纹膜。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、该外延片可以减少腐蚀液对太阳能电池层的损害,保证太阳能电池产品的性能,避免了腐蚀液侵入到太阳能电池层的现象,保护太阳能电池层的使用寿命;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的