[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201821957805.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209216979U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张黎 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体结构 半导体 氮掺杂 栅极金属层 氧化硅层 栅极结构 晶体管栅极结构 本实用新型 栅极绝缘层 掺杂离子 漏电流 上表面 晶体管 侧壁 填充 扩散 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构至少包括：
半导体衬底，具有位于所述半导体衬底内的沟槽；
氮掺杂氧化硅层，位于所述沟槽的底部及侧壁上；
栅极金属层，填充于所述沟槽中，所述栅极金属层的顶端低于所述半导体衬底的上表面。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括氮氧化硅层及功函数层，所述氮氧化硅层位于所述氮掺杂氧化硅层的底部及侧壁上，所述功函数层位于所述氮氧化硅层的底部及侧壁上。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：所述氮掺杂氧化硅层的厚度介于2nm～6nm，所述栅极金属层的厚度介于15nm～25nm，所述栅极金属层的顶端与所述半导体衬底的上表面之间的距离介于55nm～75nm，所述氮氧化硅层的厚度介于1.5nm～3nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述氮掺杂氧化硅层中掺杂氮原子浓度占所述氮掺杂氧化硅层中原子浓度的0.05％～0.15％。
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