[实用新型]基于QFN的芯片封装结构有效
| 申请号： | 201821959369.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN208923104U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 | 申请（专利权）人： | 西安航思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 710300 陕西省西安市鄠*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热焊盘 芯片 分隔槽 沉槽 换热 盲孔 芯片封装结构 本实用新型 导热绝缘条 导电焊盘 围堰 填充 环氧绝缘体 封装结构 散热效果 引线连接 短路 边缘区 嵌入的 下表面 银浆层 中央区 侧壁 焊盘 减小 锡膏 银浆 分隔 概率 延伸 | ||
1.一种基于QFN的芯片封装结构，包括位于环氧绝缘体（6）中的散热焊盘（1）、芯片（3）和导电焊盘（4），所述芯片（3）位于散热焊盘（1）上，位于散热焊盘（1）周边设有若干个导电焊盘（4），所述导电焊盘（4）和芯片（3）通过一引线（5）连接，其特征在于：所述散热焊盘（1）的中央区开有一供芯片（3）嵌入的沉槽（11），从而在散热焊盘（1）的边缘区形成一围堰部（12），所述沉槽（11）的底部和围堰部（12）与芯片（3）的下表面和侧壁之间均设置有银浆层（2），所述沉槽（11）的底部开有若干个延伸至散热焊盘（1）内的换热盲孔（13），所述换热盲孔（13）中具有银浆填充部（21）；所述散热焊盘（1）远离芯片（3）的一侧开有分隔槽（14），所述分隔槽（14）宽度为0.1-0.3mm，所述分隔槽（14）将散热焊盘（1）远离芯片（3）的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体（15），所述分隔槽（14）中填充有导热绝缘条（141）。
2.根据权利要求1所述的基于QFN的芯片封装结构，其特征在于：所述沉槽（11）深度不大于芯片（3）厚度设置。
3.根据权利要求2所述的基于QFN的芯片封装结构，其特征在于：所述换热盲孔（13）为锥形盲孔，所述换热盲孔（13）靠近芯片（3）一端端口的孔径大于换热盲孔（13）远离芯片（3）一端端口的孔径。
4.根据权利要求3所述的基于QFN的芯片封装结构，其特征在于：所述围堰部（12）内侧上开有阶梯部（121）。
5.根据权利要求1所述的基于QFN的芯片封装结构，其特征在于：所述导热绝缘条（141）厚度小于分隔槽（14）槽深。
6.根据权利要求1所述的基于QFN的芯片封装结构，其特征在于：所述焊盘单体（15）的面积不小于0.3*0.3mm2。
7.根据权利要求6所述的基于QFN的芯片封装结构，其特征在于：所述导电焊盘（4）和散热焊盘（1）的间距为0.3mm。
8.根据权利要求1所述的基于QFN的芯片封装结构，其特征在于：所述导电焊盘（4）为T型块。
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