[实用新型]基于QFN的芯片封装结构

说明书

本实用新型公开一种基于QFN的芯片封装结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接，所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽，从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部，所述沉槽的底部和围堰部与芯片的下表面和侧壁之间均设置有银浆层，所述沉槽的底部开有若干个延伸至散热焊盘内的换热盲孔，所述换热盲孔中具有银浆填充部；所述散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽，所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体，所述分隔槽中填充有导热绝缘条。本实用新型不仅通过沉槽和换热盲孔的设置，改善了封装结构的散热效果，还通过分隔槽和导热绝缘条的设置，减小锡膏使用量，降低了短路的概率。

技术领域

本实用新型涉及基于QFN的芯片封装结构，属于无引脚封装技术领域。

背景技术

QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它能提供卓越的电性能，而得到广泛应用。

封装过程中，需要使用银浆将芯片粘结至导热焊盘上，这里，银浆不仅是作为粘结剂使用，其优越的导热性能能够将芯片产生的热量传递给导热焊盘，从而降低工作状态下的芯片温度，保护芯片；但是，由于芯片通过贴附的方式与银浆接触连接，接触面积较少，导致QFN封装半导体器件的散热效果有待改善。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供基于QFN的芯片封装结构，通过沉槽和换热盲孔的设置，增加了芯片和银浆、银浆和散热焊盘的接触面积，从而增大了单位时间内的散热量，进而改善了封装结构的散热效果，同时，其通过分隔槽和导热绝缘条的设置，不仅能够减小锡膏使用量，降低发生短路的概率，还能保证散热焊盘的散热效果不受影响。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：基于QFN的芯片封装结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接，所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽，从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部，所述沉槽的底部和围堰部与芯片的下表面和侧壁之间均设置有银浆层，所述沉槽的底部开有若干个延伸至散热焊盘内的换热盲孔，所述换热盲孔中具有银浆填充部；所述散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽，所述分隔槽宽度为0.1-0.3mm，所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体，所述分隔槽中填充有导热绝缘条。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述沉槽深度不大于芯片厚度设置。

2. 上述方案中，所述换热盲孔为锥形盲孔，所述换热盲孔靠近芯片一端端口的孔径大于换热盲孔远离芯片一端端口的孔径。

3. 上述方案中，所述围堰部内侧上开有阶梯部。

4. 上述方案中，所述导热绝缘条厚度小于分隔槽槽深。

5 上述方案中，所述焊盘单体的面积不小于0.3*0.3mm²。

6. 上述方案中，所述导电焊盘和散热焊盘的间距为0.3mm。

7. 上述方案中，所述导电焊盘为T型块。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：