[实用新型]氮化镓基半导体外延器件有效
| 申请号： | 201821966789.6 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209199874U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈彦良;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓外延层 缓冲层 氮化镓基半导体 外延器件 基板 缓变 氮化镓基外延 平整表面 晶种层 晶格 | ||
1.一种氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，包含:
基板；
第一氮化镓外延层，所述第一氮化镓外延层设置在所述基板上；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一氮化镓外延层上，其中所述缓冲层为具有五三比参数由大至小缓变的缓冲层；以及
第二氮化镓外延层，所述第二氮化镓外延层设置在所述缓冲层上。
2.如权利要求1所述的氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，所述基板为具有晶种层的基板。
3.如权利要求2所述的氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，所述具有晶种层的基板可以是具有氮化铝晶种的蓝宝石基板、具有氮化镓晶种的蓝宝石基板、具有氮化铝晶种的硅基板或是具有氮化铝晶种的碳化硅基板。
4.如权利要求1所述的氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，所述第一氮化镓外延层为具有五三比，其中所述五三比为100-1000。
5.如权利要求1所述的氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，所述第一氮化镓外延层的厚度为500nm-1500nm。
6.如权利要求1所述的氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为200nm-2000nm。
7.如权利要求1所述的氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，所述第二氮化镓外延层为具有五三比，其中所述五三比为40-200。
8.如权利要求1所述的氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，所述第一氮化镓外延层的五三比大于所述第二氮化镓外延层的五三比。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
