[实用新型]氮化镓基半导体外延器件

说明书

一种氮化镓基半导体外延器件，由下而上依序包含基板、第一氮化镓外延层、缓冲层及第二氮化镓外延层，其中，基板为具有晶种层的基板、第一氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层、缓冲层的五三比参数由大至小缓变的缓冲层，以及第二氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层，据此氮化镓基半导体外延器件利用不同五三比氮化镓外延层及五三比参数由大至小缓变的缓冲层来达到高晶格质量及具有平整表面，进儿可以成长不同的氮化镓基外延结构。

技术领域

本实用新型关于一种氮化镓半导体器件技术领域，特别是关于具有五三比参数由大至小缓变所构成的缓变缓冲层的氮化镓基半导体外延器件。

背景技术

氮化镓材料在多个领域的应用，已愈来愈广泛，然而氮化镓的外延质量要求也愈来愈严格，在氮化镓的外延技术上存在的缺陷在于，在外延条件中，五三比例为一个重要的参数，利用调变此参数可以得到完全不一样的外延结果。在高五三比的条件下，会带来较高的外延晶格质量，但是所形成的氮化镓的外延晶格表面非常粗糙；反之，若是在低五三比的条件下，虽然氮化镓的外延晶格质量较差，但是却可以得到平整的氮化镓的外延晶格表面。

然而，对于个各个领域的应用上来说，具有良好的外延晶格质量和平整的表面对于氮化镓外延结构都一样的重要，因此必需要要提出一种技术方案来解决上述的缺陷，而可以得到一个具有好的晶格质量及平整表面的氮化镓外延结构。

实用新型内容

根据现有技术中所揭露的问题，本实用新型主要是利用氮化镓五三比缓变缓冲层来形成氮化镓基半导体外延器件，同时可以保有高的外延晶格质量以及氮化镓的外延晶格表面平整的优点。

本实用新型的另一目的在于，在氮化镓基半导体外延器件中设置高五三比的氮化镓外延层，以此层可以提供良好的晶格质量为特性，当作基底使得后续外延具有高质量晶格特性。

本实用新型的再一目的在于，在氮化镓基半导体外延器件设置低五三比的氮化镓外延层，以此层可以得到平整表面的氮化镓外延层。

根据上述目的，本实用新型提供一种氮化镓基半导体外延器件，由下而上依序包含基板、第一氮化镓外延层、缓冲层及第二氮化镓外延层，其中，基板为具有晶种层的基板、第一氮化镓外延层为高五三比(V/III ratio)氮化镓外延层、缓冲层的五三比参数由大至小缓变的缓冲层，以及第二氮化镓外延层为小五三比(V/III ratio)氮化镓外延层，据此氮化镓基半导体外延器件利用不同五三比氮化镓外延层及五三比参数由大至小缓变的缓冲层，来达到高晶格质量及具有平整表面，进儿可以成长不同的氮化镓基外延结构。

附图说明

图1-图3是根据本实用新型所揭露的技术，表示形成氮化镓基半导体外延器件的步骤示意图。

图4是根据本实用新型所揭露的技术，氮化镓基半导体外延器件的步骤流程图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术特征及优点，能更为相关技术领域人员所了解，并得以实施本实用新型，在此配合所附的图式、具体阐明本实用新型的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本实用新型特征有关的示意，并未亦不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的技术内容，亦不再加以陈述。