[实用新型]一种用于SMD2016晶体谐振器的封焊盘有效
申请号: | 201821975827.4 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN209497430U | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 王秋贞;匡华强 | 申请(专利权)人: | 江苏海德频率科技有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 陈晓华 |
地址: | 214400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 底板 封焊 晶体谐振器 定位孔 本实用新型 磁性材料 放置槽 通孔 设备投入成本 真空热扩散 矩阵分布 可靠使用 喷砂处理 氧化铝砂 组合工艺 微调盘 翻转 工位 贴合 匹配 进口 污染 | ||
本实用新型公开了一种用于SMD2016晶体谐振器的封焊盘,包括面板和底板,所述面板和底板之间通过真空热扩散组合工艺贴合在一起,面板经过氧化铝砂进行喷砂处理,所述底板由磁性材料制成;所述底板上设有两个定位孔,面板上设有两个通孔,两个通孔与两个定位孔对应且匹配;所述面板上设有768个放置槽,所述放置槽成24*32的矩阵分布,该用于SMD2016晶体谐振器的封焊盘中,采用了768工位和定位孔,与现有的微调盘直接配套使用,并且实现可靠翻转,减少了设备投入成本和对产品的污染;而且,底板有专门的磁性材料制成,进而能够在进口封焊机上可靠使用,本实用新型设计合理,适合推广使用。
技术领域
本实用新型涉及电子元器件技术领域,具体涉及一种用于SMD2016晶体谐振器的封焊盘。
背景技术
目前行业内,都是对晶体谐振器采用的是微调后,再通过移载机移到封焊盘上的方式,但是这种工艺的缺陷比较明显,主要是因为晶体谐振器的体积较小,对移载机的精度要求高,气压控制不好容易吹散料,移载过程难以避免造成一定的污染,而且,目前的SMD2016晶体谐振器封焊设备主要依赖进口,国内的封焊机水平封超小型化产品精度还达不到,因此现状是国内封焊盘设计多为配套日本进口封焊机,采用传统的416位的设计,与微调盘768工位的放置位置不一致,必须依靠移载才得以实现,这样就增加了SMD2016晶体谐振器的工序,从而间接增加了故障率。
实用新型内容
本实用新型为了克服上述的不足,提供一种能够节省设备投入,且提高成本率的用于SMD2016晶体谐振器的封焊盘。
本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
一种用于SMD2016晶体谐振器的封焊盘,包括面板和底板,所述面板和底板之间通过真空热扩散组合工艺贴合在一起,面板经过氧化铝砂进行喷砂处理,所述底板由磁性材料制成;所述底板上设有两个定位孔,面板上设有两个通孔,两个通孔与两个定位孔对应且匹配;所述面板上设有768个放置槽,所述放置槽成24*32的矩阵分布。
作为优选,所述面板的中心和底板的中心重合。
作为优选,所述底板上设有两组基准孔,每组基准孔由两个基准孔组成,两组基准孔分别位于面板的两侧。
作为优选,所述面板的尺寸为124.8*220*0.2mm,所述底板的尺寸为 140*220*2mm,两组基准孔之间的距离为130mm。
作为优选,所述放置槽的尺寸为1.7*2.1mm。
封焊盘是与封焊机配套使用的设备。
该用于SMD2016晶体谐振器的封焊盘中适用于SMD20162016封装(以及更小尺寸)的晶体谐振器:
1、该封焊盘是配套768工位的微调盘设计,可实现与封焊盘的直接翻转,无需再配套移载机,节约移载设备投入成本、人工成本,而且还减少了使用移载机的过程中,对产品的污染;
2、在封焊盘的设计上还增加定位孔,与微调盘紧扣一起翻转避免散料;
3、封焊盘中的底板,采用的材料与日本封焊设备工厂设计配套专门的磁性底板的材料一致,磁性底板配套的日本封焊设备的型号为NAW-7100,进而能够在进口封焊机上可靠使用。
本实用新型的有益效果是:该用于SMD2016晶体谐振器的封焊盘中,采用了768工位和定位孔,与现有的微调盘直接配套使用,并且实现可靠翻转,减少了设备投入成本和对产品的污染;而且,底板有专门的磁性材料制成,进而能够在进口封焊机上可靠使用。
附图说明
本实用新型将通过例子并参照附图的方式说明,其中:
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的面板的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏海德频率科技有限公司,未经江苏海德频率科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821975827.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高共模抑制比的差分放大电路
- 下一篇:一种滤波器的晶圆级封装结构