[实用新型]一种压力传感器有效
| 申请号： | 201821988377.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN208937219U | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 缪建民;曹峰 | 申请（专利权）人： | 华景传感科技(无锡)有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压力传感器 压力传感芯片 本实用新型 第二表面 第一表面 陶瓷基 高稳定性 相对设置 抗腐蚀 耐高温 粘结层 背腔 贴附 | ||
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：
陶瓷基底和硅压力传感芯片；
所述陶瓷基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有凹槽作为压力背腔，所述压力传感芯片通过粘结层贴附于所述第二表面与所述凹槽对应的区域。
2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：
所述粘结层为玻璃胶。
3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：
所述硅压力传感芯片设置于所述凹槽的边缘区域。
4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：
所述硅压力传感芯片设置于凹槽的中心位置。
5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：
所述陶瓷基底设置有所述凹槽的区域的厚度为0.1毫米-0.5毫米。
6.根据权利要求5所述的压力传感器，其特征在于：
所述凹槽的形状为圆柱形，所述凹槽的直径为5毫米-10毫米。
7.根据权利要求6所述的压力传感器，其特征在于：
所述硅压力传感芯片为正方形，所述硅压力传感芯片的边长为1毫米-2毫米。
8.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：
所述硅压力传感芯片包括依次层叠设置的硅基底、绝缘层、压感电阻层以及保护层；
还包括与所述压感电阻层电连接的金属电极，所述保护层覆盖所述压感电阻层且裸露出所述金属电极。
9.根据权利要求8所述的压力传感器，其特征在于：
所述绝缘层为氧化硅层，所述压感电阻层为硅电阻层，所述保护层为氧化硅层或氮化硅层。
10.根据权利要求9所述的压力传感器，其特征在于：
所述硅基底的厚度为30微米-50微米；
所述绝缘层的厚度为0.1微米-2微米；
所述压感电阻层的厚度0.5微米-3微米；
所述保护层的厚度为0.1微米-2微米。
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