[实用新型]一种压力传感器

说明书

本实用新型实施例公开了一种压力传感器。该压力传感器包括：陶瓷基底和硅压力传感芯片；所述陶瓷基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有凹槽作为压力背腔，所述压力传感芯片通过粘结层贴附于所述第二表面与所述凹槽对应的区域。本实用新型实施例提供了一种抗腐蚀、耐高温、高稳定性、高精度并且成本低的压力传感器。

技术领域

本实用新型实施例涉及压力传感技术，尤其涉及一种压力传感器。

背景技术

硅压阻压力传感器的原理是利用半导体材料的压阻效应，是日前应用最为广泛的一种压力传感器，其具有灵敏度高、动态响应快、测量精度高、稳定性好、工作温度范围宽、易于小型微型化、便于批量生产以及使用方便等优点。

然而现有的硅压力传感器抗腐蚀性不足，不适合应用于腐蚀气体等恶劣环境当中。

实用新型内容

本实用新型提供一种压力传感器，以提供一种抗腐蚀、耐高温、高稳定性、高精度并且成本低的压力传感器。

本实用新型实施例提供了一种压力传感器，该压力传感器包括：

陶瓷基底和硅压力传感芯片；

所述陶瓷基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有凹槽作为压力背腔，所述压力传感芯片通过粘结层贴附于所述第二表面与所述凹槽对应的区域。

可选的，所述粘结层为玻璃胶。

可选的，所述硅压力传感芯片设置于所述凹槽的边缘区域。

可选的，所述硅压力传感芯片设置于凹槽的中心位置。

可选的，所述陶瓷基底设置有所述凹槽的区域的厚度为0.1毫米-0.5毫米。

可选的，所述凹槽的形状为圆柱形，所述凹槽的直径为5毫米-10毫米。

可选的，所述硅压力传感芯片为正方形，所述硅压力传感芯片的边长为1毫米-2毫米。

可选的，所述硅压力传感芯片包括依次层叠设置的硅基底、绝缘层、压感电阻层以及保护层；

还包括与所述压感电阻层电连接的金属电极，所述保护层覆盖所述压感电阻层且裸露出所述金属电极。

可选的，所述绝缘层为氧化硅层，所述压感电阻层为硅电阻层，所述保护层为氧化硅层或氮化硅层。

可选的，所述硅基底的厚度为30微米-50微米；

所述绝缘层的厚度为0.1微米-2微米；

所述压感电阻层的厚度0.5微米-3微米；

所述保护层的厚度为0.1微米-2微米。

本实用新型实施例将硅压力传感芯片贴附于陶瓷基底表面形成压力传感器，由于陶瓷材料具有高弹性、抗腐蚀、抗磨损、抗冲击和振动的特性，且硅压力传感芯片灵敏度高、动态响应快、测量精度高、稳定性好、工作温度范围宽、易于小型微型化、便于批量生产以及使用方便等优点，通过采用将陶瓷基底与硅压力传感芯片结合的方式，使得压力传感器同时具有两者的优点，并且本实施例直接将硅压力传感芯片贴附到陶瓷基底表面，工艺简单，制作成本低，因此本实施例提供的压力传感器具有成本低的特性。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种压力传感器的示意图；

图2是本实用新型实施例提供的又一种压力传感器的示意图；

图3是本实用新型实施例提供的一种硅压力传感芯片的示意图。

具体实施方式