[实用新型]研磨装置有效

专利信息
申请号: 201821997440.9 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN209256648U 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 韩斌;辛君;林宗贤;吴龙江 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: B24B37/10 分类号: B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B08B5/04
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 佟婷婷
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 研磨装置 研磨 研磨头 抽气装置 污染物 晶圆 本实用新型 排气腔室 可移动 掉落 散落 报废 改进
【说明书】:

实用新型提供一种研磨装置,包括:研磨头结构;以及抽气装置,设置于研磨头结构上方,以除去研磨头结构上的污染物。本实用新型的研磨装置,通过抽气装置的设置,除去研磨头等结构上的颗粒等污染物,从而防止上述污染物掉落到研磨晶圆上,防止污染物对晶圆研磨效果的影响,改善颗粒散落风险,提升研磨效果,减少了晶圆因此而造成报废的情况,同时,对抽气装置进行改进,可移动的排气腔室有利于研磨装置的研磨头结构的更换。

技术领域

本实用新型属于半导体设备技术领域,特别是涉及一种研磨装置。

背景技术

研磨是半导体制造领域常用的手段,研磨的主要设备一般包括:研磨台、研磨垫(Pad)、研磨头,研磨垫设置于研磨台上,研磨头上装配有待研磨晶圆,待研磨晶圆与研磨垫接触,研磨液以一定的速率流到研磨垫的表面,研磨头给待研磨晶圆施加一定的压力,使得待研磨晶圆的待研磨面与研磨垫产生机械接触,在研磨过程中,研磨头、研磨台旋转,通过机械和化学作用去除待研磨晶圆表面的薄膜,从而达到待研磨晶圆表面平坦化的目的。

在传统的研磨过程当中,如化学机械研磨过程中,研磨头上部会有研磨液结晶颗粒产生,一旦颗粒掉落在研磨垫上,就会造成晶圆研磨效果受到影响,引起晶圆被划伤的缺陷,严重时候会导致整片晶圆报废,同样,研磨头等结构上的其他污染物或者旋转轴旋转等产生的污染物也可能掉落,也会影响晶圆质量。

因此,如何提供一种研磨装置,以解决现有技术中的上述问题实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种研磨装置,用于解决现有技术中研磨头等结构上的污染物掉落对研磨晶圆的质量影响等问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种研磨装置,包括:

研磨头结构;以及

抽气装置,设置于所述研磨头结构上方,以除去所述研磨头结构上的污染物。

作为本实用新型的一种可选方案,所述研磨装置还包括旋转轴及固定支架,其中,所述旋转轴连接于所述固定支架与所述研磨头结构之间,所述抽气装置设置于所述旋转轴的外围且位于所述研磨头结构与所述固定支架之间。

作为本实用新型的一种可选方案,所述研磨装置还包括托盘结构,所述托盘结构设置于所述旋转轴的外围且位于所述抽气装置与所述固定支架之间并与所述固定支架相接触。

作为本实用新型的一种可选方案,所述抽气装置包括排气腔室以及与所述排气腔室相连通的排气管路,其中,所述排气腔室呈环形且套置于所述旋转轴的外围。

作为本实用新型的一种可选方案,所述排气腔室的内环边缘与所述旋转轴之间形成一间隙,所述间隙介于3mm-10mm之间;所述排气腔室的外环边缘在所述研磨头结构的上表面的正投影与所述研磨头结构的外缘之间的距离小于等于1mm;所述排气腔室的底部与所述研磨头结构的上表面之间的距离介于8mm-15mm之间。

作为本实用新型的一种可选方案,所述排气腔室包括至少两个排气腔单元,所述抽气装置包括至少两条所述排气管路,其中,各所述排气腔单元拼接形成所述排气腔室,且各所述排气腔单元分别对应与一所述排气管路相连通。

作为本实用新型的一种可选方案,所述抽气装置还包括驱动装置,所述驱动装置与各所述排气腔单元相连接,以带动各所述排气腔单元的移动。

作为本实用新型的一种可选方案,所述驱动装置包括气缸及马达中的至少一种,当所述驱动装置包括所述气缸时,所述气缸通过一连接结构带动所述排气腔单元移动,且所述气缸设置于所述固定支架上。

作为本实用新型的一种可选方案,所述研磨装置还包括控制装置,所述抽气装置还包括与所述排气腔室相连通抽气泵装置,其中,所述控制装置与所述驱动装置相连接,以控制所述驱动装置工作,所述控制装置与所述抽气泵装置相连接,以控制所述抽气泵装置工作。

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