[实用新型]一种提高正向光的LED芯片有效
| 申请号： | 201822006986.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209183566U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 许英朝;蔡立鹤 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 杨玉芳 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 金属 第一表面 台阶结构 下电极 正向光 电极 墙体 半导体发光器件 本实用新型 包围 反射作用 发光层 切割道 衬底 正向 制备 辐射 覆盖 保证 | ||
1.一种提高正向光的LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
N型GaN层，位于所述衬底上；
MQW层，位于所述N型GaN层上；
P型GaN层，位于所述MQW层上；其中，所述N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；
上电极，位于所述P型GaN层上；
金属反射墙，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且包围所述MQW层与所述P型GaN层，以形成一墙体；
下电极，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且位于所述金属反射墙与所述MQW层之间；其中，所述下电极的高度与所述金属反射墙的高度一致。
2.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述金属反射墙的内侧面为斜坡面，所述斜坡面的上坡方向朝向所述金属反射墙的外侧面。
3.根据权利要求2所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述MQW层与P型GaN层叠加后的高度为12000-15000埃。
4.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述金属反射墙、所述上电极、所述下电极的材料相同，为以下金属组合之一：Cr/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au、Ni/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au。
5.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，还包括：
ITO透明导电层，位于所述P型GaN层与所述上电极之间；所述ITO透明导电层的厚度为600-2300埃。
6.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
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