[实用新型]一种提高正向光的LED芯片

说明书

本实用新型提供了一种提高正向光的LED芯片，涉及半导体发光器件机制备技术领域，包括：衬底、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、上电极、下电极以及金属反射墙；其中，N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；上电极位于P型GaN层上；金属反射墙位于N型GaN层的第一表面区域上，且包围MQW层与P型GaN层，以形成一墙体；下电极位于N型GaN层的第一表面区域上，且位于金属反射墙以及MQW层之间。通过切割道区域内设有金属反射墙，金属反射墙制备于台阶结构上，形成墙体包围MQW层与P型GaN层。保证了有源发光层MQW层向外辐射的光，经由金属反射墙的反射作用，增加了光的反射，从而提高正向出光。

技术领域

本实用新型涉及半导体发光器件机制备技术领域，具体而言，涉及一种提高正向光的LED芯片。

背景技术

LED作为一种高效、绿色环保的新型固态照明光源，具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高及使用功耗低等优点，因而在照明领域得到了广泛的应用，同时LED在手机、显示屏等背光方面的应用也愈来愈热门。

现有的LED芯片在发光时一般离散型较大，从侧面的出光损失较大，对于一些正向光要求比较严苛的应用，光照强度略显不足。所以如何提高LED芯片的正向出光能力迫在眉睫。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种提高正向光的LED芯片，能够有效提升LED芯片的正向出光能力。

第一方面，本实用新型提供了一种提高正向光的LED芯片，包括：衬底、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、上电极、下电极以及金属反射墙；所述N型GaN层位于所述衬底上；所述MQW层位于所述N型GaN层上；所述P型GaN层位于所述MQW层上；其中，所述N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；所述上电极位于所述P型GaN层上；所述金属反射墙位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且包围所述MQW层与所述P型GaN层，以形成一墙体；所述下电极位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且位于所述金属反射墙以及所述MQW层之间。

作为进一步改进，所述金属反射墙的高度与所述上电极、下电极的高度一致；所述金属反射墙的内侧面为斜坡面，所述斜坡面的上坡方向朝向所述金属反射墙的外侧面。

作为进一步改进，所述MQW层与P型GaN层叠加后的高度为12000-15000埃。

作为进一步改进，所述金属反射墙、所述上电极、所述下电极的材料相同，为以下金属组合之一：Cr/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au、Ni/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au。

作为进一步改进，还包括：ITO透明导电层，位于所述P型GaN层与所述上电极之间；所述ITO透明导电层的厚度为600-2300埃。

作为进一步改进，所述衬底为蓝宝石衬底。

第二方面，本实用新型提供了一种提高正向光的LED芯片的制备方法，包括：

S10，提供衬底，于所述衬底的表面依次生长N型GaN层、MQW层以及P型GaN层；

S20，对所述P型GaN层以及MQW层进行干法刻蚀，以裸露部分所述N型GaN层，从而形成台阶结构；

S30，在所述P型GaN层的表面以及裸露的N型GaN层上涂布一层负光阻层；

S40，在负光阻层上依次通过显影、曝光以及蒸镀，以同时形成上电极、下电极以及金属反射墙；其中，所述上电极形成于所述P型GaN层上，所述下电极以及金属反射墙形成于所述N型GaN层裸露的区域上，且所述金属反射墙相对靠近于切割道。