[实用新型]一种混合结构电容、像素电路以及成像装置有效
| 申请号： | 201822049548.1 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN209017168U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 陈超林 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属电容 电容 金属 混合结构 成像装置 像素电路 电极板 衬底 半导体 半导体衬底表面 本实用新型 垂直设置 介质层 并联 漏极 源极 垂直 | ||
1.一种混合结构电容，其特征在于，包括：
MOS电容，设置于半导体衬底中；
金属-金属电容，设置于所述半导体衬底上的介质层中；
其中，所述金属-金属电容位于所述MOS电容的上方；所述MOS电容的源极和漏极与所述金属-金属电容的第一电极板连接，所述MOS电容的栅极与所述金属-金属电容的第二电极板连接。
2.根据权利要求1所述的混合结构电容，其特征在于，所述金属-金属电容包括MIM电容和/或MOM电容。
3.一种像素电路，其特征在于，所述像素电路包括混合结构电容；所述混合结构电容包括：
MOS电容，设置于半导体衬底中；
金属-金属电容，设置于所述半导体衬底上的介质层中；
其中，所述金属-金属电容位于所述MOS电容的上方；所述MOS电容的源极和漏极与所述金属-金属电容的第一电极板连接，所述MOS电容的栅极与所述金属-金属电容的第二电极板连接。
4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述金属-金属电容包括MIM电容和/或MOM电容。
5.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路包括双转换增益控制单元，所述双转换增益控制单元包括一存储电容，所述存储电容为混合结构电容。
6.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路包括全局曝光输出单元，所述全局曝光输出单元包括像素信号存储电容和复位信号存储电容，所述像素信号存储电容和/或复位信号存储电容为混合结构电容。
7.一种成像装置，其特征在于，包括：
像素阵列，所述像素阵列包括设置成行和列的多个像素电路；
外围电路，其控制所述像素阵列，并对所述像素阵列输出的像素信号进行量化和处理；
所述像素电路包括混合结构电容；所述混合结构电容包括：
MOS电容，设置于半导体衬底中；
金属-金属电容，设置于所述半导体衬底上的介质层中；
其中，所述金属-金属电容位于所述MOS电容的上方；所述MOS电容的源极和漏极与所述金属-金属电容的第一电极板连接，所述MOS电容的栅极与所述金属-金属电容的第二电极板连接。
8.根据权利要求7所述的成像装置，其特征在于，所述金属-金属电容包括MIM电容和/或MOM电容。
9.根据权利要求7所述的成像装置，其特征在于，所述像素电路包括双转换增益控制单元，所述双转换增益控制单元包括一存储电容，所述存储电容为混合结构电容。
10.根据权利要求7所述的成像装置，其特征在于，所述像素电路包括全局曝光输出单元，所述全局曝光输出单元包括像素信号存储电容和复位信号存储电容，所述像素信号存储电容和/或复位信号存储电容为混合结构电容。
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