[实用新型]一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构

说明书

本实用新型公开了一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，包括：芯片；介质材料块，所述介质材料块与所述芯片相邻；塑封材料，所述塑封材料包封所述芯片和所述介质材料块，其中所述芯片具有第一表面和第二表面，所述第一表面上具有有源区以及至少两个焊盘，每个焊盘上具有凸点，所述凸点的顶面、介质材料块的顶面以及塑封材料的顶面齐平，构成一个平面，所述凸点的顶面和塑封材料的顶面上设置有第一导电线路，介质材料块的顶面上设置有第二导电线路和/或器件，所述第一导电线路与所述第二导电线路和/或器件电连接。

技术领域

本实用新型的实施例涉及半导体封装技术。具体而言，本实用新型涉及一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型板级封装技术(Fanout Panel Level Package, F0PLP)的出现，作为扇出型晶圆级封装技术(Fanout Wafer Level Package, F0WLP)的升级技术，拥有更广阔的发展前景。

在高频电子设备中，电路上一段特殊形状的铜皮也可以构成一个电感、电容、或电阻等，通常把这种器件称为无源器件。在智能系列产品的接受度和使用度大幅提高的现代社会，高频无源器件的产能也随之高涨。随着电子产品小型化的发展，电感、电容、天线等无源器件的体积已减小到物理极限。未来无源器件的发展方向是集成化，为客户提供便于使用的完整系统。小型化将会是大部分电子设备的方向，我们已经看到了触屏手机、液晶电视、平板电脑的轻薄化趋势，因此，无源器件作为电路系统中不可缺少的组件，轻薄小型、高效集成是必然走向。

现有的集成扇出型InFO(Integrated Fan-Out)封装方案，封装多在单面进行封装布线，信号线路都只在封装的单面。低频信号及高频信号都通过一个平面布线，往往信号之前的相互串扰比较严重，信号的完整性比较难以保证。

此外，InFO封装方案，布线多在塑封有机材料之上，塑封材料做为介质材料。受限于有机材料的材料特性，如电导率、介电常数、损耗角等，往往在某些应用中受限较大。无法实现某些电器特性。如高的Q值电感、电容，天线设计等。

因此，本领域需要一种适用于高频信号的扇出型晶圆级封装结构

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型提出一种基于TSV的RDL布线，将部分非高频信号引导到封装的背部，实现高频信号与低频信号的分开布置，减小信号串扰。

根据本实用新型的一个方面，提供一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，包括：

芯片；

介质材料块，所述介质材料块与所述芯片相邻；

塑封材料，所述塑封材料包封所述芯片和所述介质材料块，

其中所述芯片具有第一表面和第二表面，所述第一表面上具有有源区以及至少两个焊盘，每个焊盘上具有凸点，所述凸点的顶面、介质材料块的顶面以及塑封材料的顶面齐平，构成一个平面，所述凸点的顶面和塑封材料的顶面上设置有第一导电线路，介质材料块的顶面上设置有第二导电线路和/或器件，所述第一导电线路与所述第二导电线路和/或器件电连接，

所述第二表面与所述第一表面相对，所述第二表面与塑封材料的背面齐平，且重布线层和外接焊盘分布在第二表面和塑封材料的背面上，重布线层通过一个或多个TSV孔与所述凸点中的一个或多个形成电连接，其中TSV孔从所述第二表面延伸到对应凸点的焊盘，并且TSV孔内部填充有导电金属。

在本实用新型的一个实施例中，所述凸点包括用于高频信号传输的凸点和用于低频信号传输的凸点。