[实用新型]组合传感器

说明书

本实用新型公开了一种组合传感器，所述组合传感器包括：基板，所述基板设有至少两个接地端，各所述接地端之间电连接；以及芯片组，所述芯片组的数量至少为两个，所述芯片组安装至所述基板，所述芯片组和所述接地端一一对应电连接。本实用新型技术方案使得每个芯片组可利用的接地端面积达到封装面积的最大值，这样有利于快速导走静电的电荷，从而最大程度地保护了芯片组免受静电的冲击，有效提升组合传感器的抗静电能力。

技术领域

本实用新型涉及传感器技术领域，特别涉及一种组合传感器。

背景技术

将多个MEMS器件和ASIC器件集成封装时，需要形成多个GND(接地端)，相比于单个MEMS器件和ASIC器件，相同封装面积下每个器件电路的接地面积变小。多个MEMS器件和ASIC器件封装形成组合传感器，在组合传感器受到静电作用时，接地面积越小，静电携带的电荷被导走所用的时间越长，各器件受到静电高压的冲击就越大，也就是组合传感器就越容易被静电击穿，造成不可逆的损坏。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种组合传感器，旨在提升组合传感器的抗静电能力。

为实现上述目的，本实用新型公开了一种组合传感器，所述组合传感器包括：

基板，所述基板设有至少两个接地端，各所述接地端之间电连接；以及

芯片组，所述芯片组的数量至少为两个，所述芯片组安装至所述基板，所述芯片组和所述接地端一一对应电连接。

在本实用新型的一实施例中，所述基板设有金属走线，所述金属走线电连接各所述接地端。

在本实用新型的一实施例中，所述芯片组包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片安装至所述基板，所述MEMS芯片与所述ASIC芯片电连接，所述ASIC芯片与所述接地端电连接。

在本实用新型的一实施例中，至少一个所述MEMS芯片为麦克风芯片。

在本实用新型的一实施例中，所述基板设有声孔，至少一个所述麦克风芯片覆盖所述声孔。

在本实用新型的一实施例中，所述组合传感器还包括罩壳，所述罩壳设于所述基板，与所述基板限定出封装腔；

所述芯片组设于所述封装腔。

在本实用新型的一实施例中，所述基板紧邻所述封装腔的一面为上表面，背离所述封装腔的一面为下表面，所述接地端设于所述基板的下表面。

在本实用新型的一实施例中，所述基板设有金属化过孔，所述芯片组和所述接地端分别与所述金属化过孔电连接。

在本实用新型的一实施例中，所述组合传感器还包括罩壳，所述罩壳设于所述基板，与所述基板限定出封装腔；

所述MEMS芯片设于所述封装腔，所述ASIC芯片设于所述基板内。

在本实用新型的一实施例中，所述接地端形成焊盘；

和/或，所述基板为电路板。

本实用新型技术方案包括基板和芯片组，芯片组安装在基板上，且与设置在基板上的接地端电连接，在封装多个芯片组时，基板上设置与芯片组数量相适应的接地端，各接地端之间实现电连接，从而使得每个芯片组可利用的接地端面积达到封装面积的最大值，这样有利于快速导走静电的电荷，从而最大程度地保护了芯片组免受静电的冲击，有效提升组合传感器的抗静电能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。