[实用新型]基板处理装置

说明书

本实用新型涉及基板处理装置，包括：承载头；托架，其供基板放置，使基板加载于承载头；加压力缓和部，其配备于托架，使因承载头与基板的接触而作用于基板的加压力缓和。

技术领域

本实用新型涉及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够在基板的加载中防止基板损伤、提高稳定性及可靠性的基板处理装置。

背景技术

在半导体元件制造过程中，随着反复执行遮蔽、蚀刻及配线工序等而在晶片表面生成凸凹，导致单元区域与周边电路区域间高度差，为谋求去除了这种高度差的广域平坦化，提高因电路形成用接触/配线膜的分离及高集成元件化导致的晶片表面粗糙度等，对晶片的表面进行精密研磨加工，化学机械式研磨(CMP)系统正是用于这种精密研磨加工的装置。

CMP系统将晶片加载于承载头90后，如韩国授权专利公报第10-1188579号等公开的内容所示，在承载头进行移动的同时，在既定的研磨平板中，同时对晶片的研磨面进行借助于机械式摩擦的机械研磨和借助于研磨液的化学研磨。

此时，承载头90如图1所示，在化学机械式研磨工序中，利用底板92a将晶片W向下方加压的隔膜92固定于本体部91，在隔膜92与本体部91之间形成有压力腔室92C，借助于从压力调节部95通过空压供应管95a而接入的空压，能够向下方加压晶片W。而且，在隔膜92的外周，安装有防止晶片W脱离的卡环93，在化学机械式研磨工序中，借助于固定腔室93C的空压，可以将卡环93向下方加压。

将晶片W加载于承载头90的加载装置1如图1所示，由放置晶片W的托架10、使托架10沿上下方向10d移动的驱动部MH构成。

在使晶片W放置于托架10的中央区域A1的状态下，如果使托架10向上方移动既定高度，则晶片W接近承载头90的隔膜底板92a地配置，如图2所示，向压力腔室92C施加正压P，使隔膜底板92a贴紧晶片W后，向压力腔室92C施加负压，借助于此，晶片W成为加载于承载头90的状态。

另一方面，在使放置于托架10的晶片W加载于承载头90的工序中，如果向晶片W施加过度的加压力，则存在在晶片W上形成的图案被损伤或晶片W破损的问题，因而在晶片W的加载工序中，施加于晶片W的加压力应能够实现最小化。

但是，以往在为了使隔膜底板92a贴紧晶片W而向压力腔室92C施加正压P(隔膜膨胀)的工序中，由于隔膜底板92a对放置(固定)于托架10的晶片W加压的加压力P，存在在晶片W上形成的图案被损伤或晶片W破损的问题。

为此，最近进行了旨在在加载工序中使施加于晶片的加压力实现最小化、防止晶片损伤及破损的多样研究，但还远远不够，要求对此进行开发。

实用新型内容

本实用新型目的是提供一种可以无基板损伤及破损地稳定地加载基板的基板处理装置。

特别是，本实用新型目的是使得可以使在将基板加载于承载头的工序中施加于基板的加压力实现最小化。

另外，本实用新型目的是使基板的损伤及破损实现最小化，提高基板的加载稳定性。

另外，本实用新型目的是使得提高稳定性及可靠性，在基板加载后准确地控制后续工序。

旨在达成上述本实用新型目的的本实用新型，提供一种基板处理装置，包括：承载头；托架，其供基板放置，使基板加载于承载头；加压力缓和部，其配备于托架，使因承载头与基板的接触而作用于基板的加压力缓和。

综上所述，根据本实用新型，可以获得无基板损伤及破损地稳定地加载基板的有利效果。

特别是，根据本实用新型，在将基板加载于承载头的工序中，使施加于基板的加压力实现最小化，借助于此，可以获得阻止向基板施加过度的加压力，预先防止基板发生弯曲或变形或者破损的有利效果。