[实用新型]一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路

权利要求书

1.一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其特征在于，包括：八个NTFET晶体管和四个PTFET晶体管；八个NTFET晶体管依次记为N1～N8，四个PTFET晶体管依次记为P1～P4；其中：

VDD和NTFET晶体管N1的漏极电连接，同时VDD也与PTFET晶体管P1及PTFET晶体管P2的源极电连接；

PTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N3的漏极、PTFET晶体管P2的栅极、NTFET晶体管N4及NTFET晶体管N8的栅极电连接；

PTFET晶体管P2的漏极，与PTFET晶体管P3及PTFET晶体管P4的漏极、以及NTFET晶体管N4及NTFET晶体管N5的漏极电连接；

PTFET晶体管P3的源极，与PTFET晶体管P4的源极、PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N2的源极、以及NTFET晶体管N3的栅极电连接；

NTFET晶体管N1的源极与NTFET晶体管N2的漏极电连接；

NTFET晶体管N5的源极与NTFET晶体管N6的漏极电连接；

NTFET晶体管N7的源极与NTFET晶体管N8的漏极电连接；

NTFET晶体管N3、NTFET晶体管N4、NTFET晶体管N6及NTFET晶体管N8的源极与GND电连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其特征在于，位线WL与NTFET晶体管N1即NTFET晶体管N6的栅极、以及PTFET晶体管P4的栅极电连接；位线WLA连接NTFET晶体管N2的栅极以及PTFET晶体管P3的栅极；位线WLB连接NTFET晶体管N5的栅极；读字线WR连接NTFET晶体管N7的栅极；读位线RBL连接NTFET晶体管N7的漏极。