[实用新型]单晶炉热屏结构有效
申请号: | 201822079513.2 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN209227096U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 吴建科 | 申请(专利权)人: | 中卫市银阳新能源有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙) 33303 | 代理人: | 雷仕荣 |
地址: | 755000 宁夏回族自*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水冷 胆体 支撑环 水冷组件 体内 单晶炉 内胆体 屏蔽筒 热屏 水管 纵向温度梯度 本实用新型 单晶体 外胆体 内胆 外胆 连通 生长 | ||
本实用新型公开了一种单晶炉热屏结构,包括外胆体、内胆体、水冷组件和屏蔽筒,所述内胆体套设在外胆体内,所述水冷组件包括水冷胆体、水管和支撑环,所述水冷胆体套设在内胆体内,所述水管至少为两根,一端连通在水冷胆体上,另一端固定在支撑环上,所述支撑环位于水冷胆体的上方,所述屏蔽筒套设在水冷胆体内。其大大改善了热场内部纵向温度梯度,提高了单晶体硅的生长速度。
技术领域
本实用新型涉及机械领域,特别是,涉及一种单晶炉热屏结构。
背景技术
目前为止,太阳能光伏产业基本上是建立在硅材料基础之上的,为了降低生产成本,提高企业效益,光伏行业对晶体硅的质量要求越来越高,对晶体硅的生长速度要求也越来越高。
单晶硅生长时,通过降低温度,使熔硅液面中心温度低于硅的熔点,能够控制硅晶体的生长。在硅晶体生长时,结晶界面附近会产生结晶潜热,由于熔体温度较高,结晶潜热只能通过硅棒传导,辐射到气氛中,通过增加硅棒的纵向温度梯度,即减小溶液上方的温度,可以加速结晶潜热传导至晶棒表面,辐射到气氛中,从而提高单晶硅的生长速度。如何增加硅棒的纵向温度梯度,是本领域亟需解决的技术问题。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种单晶炉热屏结构,其大大改善了热场内部纵向温度梯度,提高了单晶体硅的生长速度。
为解决上述问题,本实用新型所采用的技术方案如下:
一种单晶炉热屏结构,包括外胆体、内胆体、水冷组件和屏蔽筒,所述内胆体套设在外胆体内,所述水冷组件包括水冷胆体、水管和支撑环,所述水冷胆体套设在内胆体内,所述水管至少为两根,一端连通在水冷胆体上,另一端固定在支撑环上,所述支撑环位于水冷胆体的上方,所述屏蔽筒套设在水冷胆体内。
优选的,所述外胆体、内胆体和水冷胆体均为筒型结构。
优选的,所述外胆体的下端向内延伸,所述内胆体上端的直径大于其下端的直径。
优选的,所述水冷胆体上端的直径大于其下端的直径。
优选的,所述屏蔽筒上端的直径大于其下端的直径。
优选的,还包括保温毡,所述保温毡填充在外胆体和内胆体之间。
优选的,所述水管在支撑环上分别连接进水管和出水管,所述进水管和/ 或出水管上设置有流量计。
优选的,所述外胆体和内胆体均为石墨热屏蔽胆体。
优选的,所述水管为不锈钢水管。
优选的,所述屏蔽筒为钼筒。
相比现有技术,本实用新型的有益效果在于:本实用新型中,通过水管完成水冷内胆内冷却水的循环,带走硅晶体结晶时释放的结晶潜热,从而改善热场内部纵向温度梯度,提高单晶体硅的生长速度,同时,屏蔽筒的设置减少喷硅、溅硅等异常对水冷胆体的影响,提高了水冷组件的使用安全性。
附图说明
图1为本实用新型中单晶炉热屏结构结构示意图;
图2为图1中单晶炉热屏结构的剖视图;
图3为图1中单晶炉热屏结构在单晶炉中的安装示意图;
其中,1外胆体、2为内胆体、31为水冷胆体、32为支撑环、33为水管、 331为进水管、332为出水管、34为流量计、4为屏蔽筒、5为保温毡。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
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