[实用新型]一种封装结构及太阳能组件有效
申请号: | 201822099629.2 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN209766442U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 辛科;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0216 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防水层 太阳能组件 封装结构 光伏 芯片 本实用新型 防水保护层 第二表面 第一表面 第一端 包覆 太阳能电池技术 延伸 发电量 | ||
本实用新型公开一种封装结构及太阳能组件,涉及太阳能电池技术领域,为提高太阳能组件发电量而设计。封装结构包括:第一防水层,其中,第一防水层包覆在光伏芯片的边缘,且第一防水层包括第一端和第二端,第一端延伸至光伏芯片的第一表面,第二端延伸至光伏芯片的第二表面,第一表面与第二表面分别为光伏芯片相对的两个表面;防水保护层,防水保护层设置于第一防水层的表面,且包覆在第一防水层的外侧面上。本实用新型封装结构及太阳能组件用于降低封装结构的防水层,进而提高太阳能组件性能。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种封装结构及太阳能组件。
背景技术
目前太阳能组件在完成多个太阳能电池片的串焊后,需采用封装结构对多个太阳能电池片的串焊后形成的光伏芯片进行封装保护,以满足太阳能组件在长期使用过程中(一般使用寿命为20~25年)的防水汽要求。
现有的太阳能组件的封装结构如图1和图2所示,包括光伏芯片与封装结构,光伏芯片包含底基板12、前板11和设置在底基板12和前板11之间的电池组件14,封装结构13设置于前板11与底基板12之间,为使得太阳能电池组件满足太阳能组件要求,对光伏封装组件的水汽侵蚀裕量也即封装结构的长度有一定要求,但这样封装结构就会占用底基板与前板之间的电池组件的铺设面积,使得电池组件的有效铺设面积下降,进而使得太阳能组件发电量降低、光电转化效率降低。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供了一种封装结构及太阳能组件,主要目的是通过优化封装结构,提高太阳能组件的发电量。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一种封装结构,所述封装结构用于封装光伏芯片,所述封装结构包括:
第一防水层,所述第一防水层包覆在所述光伏芯片的边缘,且所述第一防水层包括第一端和第二端,其中,所述第一端延伸至所述光伏芯片的第一表面,所述第二端延伸至所述光伏芯片的第二表面,所述第一表面与所述第二表面相对;
防水保护层,所述防水保护层设置于所述第一防水层的表面,且包覆在所述第一防水层的外侧面上。
本实用新型实施例提供的封装结构,第一防水层和防水保护层包裹在光伏芯片的边缘,且第一防水层包裹在所述光伏芯片的边缘,而不是设置在光伏芯片内部,这样就可避免封装结构占用光伏芯片内电池组件的铺设面积,通过将封装结构设置在光伏芯片的边缘,就可将在光伏芯片内节省的空间位置上设置电池组件,从而可以提高光伏芯片内部的电池组件的有效铺设面积,这样就可实现在不改变光伏芯片尺寸的基础上,增加电池组件的数量,增加整个光伏芯片的受光面积,进而提高整个光伏芯片的发电量。
可选的,所述光伏芯片包括层叠设置的衬底基板、电池组件及前基板,所述电池组件设置于所述衬底基板和所述前基板之间,其中所述第一表面,为所述前基板远离所述电池组件的表面,所述第二表面为所述衬底基板远离所述电池组件的表面;
所述第一端延伸至所述第一表面的长度与所述前基板的厚度之和大于等于11mm。
可选的,所述第二端延伸至所述第二表面的长度与所述衬底基板的厚度之和大于等于11mm。
可选的,第一防水层延伸至所述衬底基板与所述前基板之间,所述第一防水层延伸至所述衬底基板与所述前基板之间的长度为第一长度,该第一长度为1~2mm,优选为1~1.5mm。
可选的,所述第一防水层为丁基胶层,聚丙烯酸层,聚氨酯层,EVA层中的一种。
可选的,所述防水保护层为塑料层,所述塑料层的材料包括聚氨基甲酸脂,聚酰胺,聚酯多元醇,聚酯中的一种。
可选的,所述第一防水层的厚度为0.65~0.85mm,所述防水保护层的厚度为1.3~1.7mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的