[实用新型]光纤有效
申请号: | 201822100675.X | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN209514124U | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 汤明明;钱宜刚;沈一春;何亮;秦钰;吴椿烽 | 申请(专利权)人: | 中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/036 | 分类号: | G02B6/036;G02B6/02 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 苏广秀;彭辉剑 |
地址: | 226009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺氟层 掺氟 二氧化硅 光学包层 隔断层 折射率 掺锗二氧化硅 逐渐变化 光纤 芯层 低弯曲损耗光纤 光通信技术领域 本实用新型 掺杂元素 分层设置 光纤截面 低损耗 外包层 三层 抵消 迁移 扩散 | ||
1.一种光纤,其特征在于:由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层,所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散;其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层,从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层,所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。
2.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于:所述隔断层、所述浅掺氟层、所述主掺氟层及所述辅掺氟层中相邻的每两层之间的折射率渐变变化,并控制每1μm内的折射率变化为0.03%~0.05%。
3.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于:所述单掺锗二氧化硅芯层的折射率为0.35%~0.45%,所述单掺锗二氧化硅芯层的半径为4.0μm~4.5μm。
4.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于:所述隔断层的相对折射率为-0.01%~0.01%,其厚度为1.5μm~2μm。
5.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于:所述浅掺氟层的折射率为-0.04%~-0.07%,厚度为2.5μm~4.2μm。
6.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于:所述主掺氟层折射率为-0.08%~-0.15%,所述主掺氟层厚度为5μm~8.5μm。
7.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于:所述辅掺氟层的折射率为-0.01%~-0.07%,厚度为2.5~4.2μm。
8.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于:所述外包层为光纤的保护层,所述外包层的折射率为0~0.005%,其厚度为41.1μm~49.0μm。
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